離子研磨
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技術原理 |
離子研磨一般稱呼為 ion milling 或 CP（cross-section polishing），其使用的等離子體通常是由電感耦合 RF 源或微波源所產生的。電極發射快速運動的電子，同時氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內，並且電磁場環繞著等離子體腔，使電子在圓形軌道上運動，這種循環運動使得電子與氬原子產生多次碰撞，從而產生大量的正氬離子，正氬離子從電極的等離子體源中引出並用一套校準的電極來形成高密度束流，撞擊樣品產生研磨的效果，完成後再以顯微鏡觀察研磨的切面。
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機台種類 |
Ion Milling System ArBlade 4000 |
Ion Milling System ArBlade 5000 |
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分析應用 |
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截面研磨 （Cross-section Milling） |
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為了對樣品內部構造進行觀察與分析，必須讓樣品內部構造顯露出來，而通過切割機和機械研磨，無法避免因應力而產生的變形和損傷，因此很難得到 SEM 分析需要的平滑表面。 截面研磨用離子束轟擊樣品，加工出無應力損傷的截面，為 SEM 觀察樣品的內部多層結構、層厚測量、結晶狀態和異物解析等提供有效的樣品前處理方法。 |
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平面研磨 （Flatmilling） |
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用 SEM 進行表面觀察與分析時，需要面積較大且表面均一的觀察面，CP 的平面研磨方式可以滿足此要求。通過 Flatmilling，可用於去除樣品的表層，或者機械研磨的後續加工流程。 |
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案例分享 |
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聯絡窗口 |
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