TEM
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技術原理 |
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穿透式電子顯微鏡（Transmission electron microscope, TEM） |
TEM 主要是將高能量電子束投射到超薄樣品上，產生立體角散射成像，可以用於觀察樣品的精細結構。為了有效提高影像解析度，在電子槍的架構上，無論是 SEM 或 TEM 的電子槍都已經由鎢絲（W-filament）提升為六硼化鑭（LaB6）或場發射式（Field Emission），因此影像解析度也都可以達到奈米級的原子解像力。此外，由於場發射式電子槍的電子電流密度的提升，在附屬元素偵測的X-ray能譜（EDX）分析能力，也大幅改善。
在最近的這一、二年內，設備供應商布魯克（Bruker）、美商飛昱（FEI）與日本電子（JEOL），都陸續開發出大面積的 EDX 偵測器，或同時在電子槍附近架設四個偵測器，使得元素偵測能力可以做到 0.1% 以下，比傳統的 EDX 偵測能力提升約一個數量級，逼近與歐傑能譜分析儀（Auger Electron Spectrometry, AES）的能力。
TEM Talos |
TEM Talos |
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常見問題 |
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Q1. TEM切 X-S 試片一般可切多寬 ? 多深 ? 多薄 ? |
A. 一般case TEM 試片薄區寬度是5~10um、深20um內、厚度約80~100nm。
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Q2. TEM/EDX 測出元素比例跟預期有差異，如LED 產品Ga : As理論上應該要50% : 50%... |
A. EDX 通常是定性 & 半定量分析，可以看一個整體的趨勢，必要時也可以加入試片厚度因素做一些調整以得到較接近的比例值。
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Q3. TEM /EDX 之 Spot size 多大? 偵測極限為何? |
A. TEM /EDX 的 Spot size 大約 2nm 左右；元素濃度含量5%以上可偵測。
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Q4. TEM切 P-V 試片一般可切多大範圍? |
A. 若試片留一般厚度 (100nm )可切 10x10um大小的範圍；若試片留的厚度較厚 ( 約800~900nm ) 則可以切 25x12um 的範圍。
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Q5. TEM 針對晶格方向分析其選區繞射 (SAD) 最小可圈選範圍是多大? |
A. SAD最小圈選範圍是200nm，故當待測膜層厚度或晶粒尺寸大於200nm即可用SAD分析；若小於200nm則改用NBD，NBD的 Beam size 約3~5nm。
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