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FIB線路修補

材料分析 (MA)

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永續報告書

Thermal EMMI

技術原理

THEMOS mini 為簡易、節省空間之最新電性故障定位設備,可直接並快速地透過 IC 正面或背面來找出缺陷所在位置,更可在 IC 未開蓋狀態下定位出失效點為 IC 本身或封裝問題,是非破壞性分析的絕佳利器。

 

其原理乃利用高靈敏度之 InSb detector 偵測 IC 在通電狀態下,缺陷位置所產生之熱輻射的分佈,藉以定位出失效所在位置,甚至可估算出熱源在縱深的距離,非常適合 stacked die 的封裝產品分析。此設備原理類似於早期的液晶偵測技術,除了 IC 與 Package 以外,還可應用於大面積的產品,如 PCB、面板、被動元件等。

 

 

 

機台種類


Thermo ELITE


Thermo ELITE

 

Characteristics

Limit

 

高電壓範圍

±3000V (@100mA)

高電流範圍

3A (@40V)

鎖定頻率

1Hz~89Hz

廣角鏡範圍

30cm*30cm

鏡片

WA、1X、10X、LSM20X、LSM50X

特點

背面探針、鑲嵌拼接

 Thermo ELITE 規格

 

HAMAMATSU THEMOS mini

 

 

 

分析應用

  • 具市場上最高靈敏度的熱源偵測系統
  • 即時鎖定測量,提高信噪比
  • 差異化溫度解析度:數秒後 <1 mK;數小時後 <10 uK
  • 檢測金屬接觸孔的阻值異常部分 (via/contact)
  • 堆疊晶片、封裝打線、PCB 屬 traces 缺陷或短路
  • 介電層崩潰 / 漏電
  • TFT-LCD 漏電 / Organic EL 漏電定位
  • 偵測元件開發階段時於應用狀態下之異常溫度變化
  • ESD 與閂鎖效應
  • 熱源縱深判讀
  • 靜態 / 動態分析

 

Thermal emission analysis image through IC's backside

 


IC backside 影像 + thermal emission / Thermal emission 

 

 


Thermal emission analysis image through IC’s front side 

 


IC外觀圖 / X-ray 照片 / 熱影像圖

 

Thermal emission heat source depth estimation

 

 

 

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