FIB電路修補
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技術原理 |
FIB 是利用金屬鎵 (Ga, 原子序31) 作為離子源，利用加在 Extractor 的負電場將鎵原子由針尖端牽引出，形成鎵離子束，離子束透過電透鏡聚焦，經過一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA) 可決定離子束的大小，最後離子束再經過第二次聚焦至試片表面。因為鎵原子位於週期表中間的位置，使用它來撞擊其它元素原子所造成的移除效果遠遠大於電子，因此可以利用離子束對試片表面進行特定圖案的加工。
一般 SB-FIB 可以提供材料切割、沈積金屬、蝕刻金屬和選擇性蝕刻氧化層等功能，達到電路修補的需求，藉由氣體輔助蝕刻系統的幫助，不但可以提高不同材料的蝕刻選擇比與蝕刻速率，並可直接進行特定材料的沈積。目前閎康SB-FIB機台的輔助蝕刻氣體可應用於提高聚合物、金屬(Al & Cu)與氧化物的蝕刻率。而輔助沈積氣體的種類則有鉑 (Pt)，鎢 (W) 與氧化矽 (TEOS)。SB-FIB如果結合場發射式電子顯微鏡 (即Dual Beam FIB, DB-FIB) 即可進行即時橫截面觀測。
線路修補是 IC 設計業不可或缺且越來越重要的一項服務，迅速的回貨速度與高施工良率是解決客戶 IC 設計實驗問題的關鍵。閎康科技目前共有 15 台可以提供 IC 線路修補服務的單粒子束聚焦式離子束 (Single Beam FIB, SB-FIB) 顯微鏡，可以滿足客戶做產品故障分析的多元需求，再搭配具有專業技術與經驗豐富的人員，提供您準確、精確、效率、有效的產品故障快速分析服務。
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分析應用 |
雖然 FIB 與掃描式電子顯微鏡 (SEM) 和穿透式電子顯微鏡 (TEM) 被發明的時期相同，在 1950 年代以前，FIB 都被使用在研究開發相關的領域，直到 1993 年才開始被使用在 IC 商品的失效分析應用上，尤其在科技工業上被大量應用在特定缺陷樣品位置的定點切割，用以提供SEM和TEM的樣品製備…等，若配合氣體輔助蝕刻系統，更廣泛的應用在半導體積體電路的線路修補，節省大量產品偵錯和縮短更改光罩的時間。
閎康有多種 FIB 機台 (SB/DB) 可提供選擇，協助我們的客戶享受更有效率及有效的服務。為提供最好的服務品質及多樣化的服務項目，閎康每年持續投資購買許多最新的儀器設備，服務內容包含 IC 線路修補的金屬層切割、拉線和探針墊層 (Probing Pad) 的製作、無鉛製程中錫鬚的精密切割、錫鉛焊點可靠性失效橫截面故障分析、完整的銅製程橫截面結構觀察，以及提供許多更先進的 IC 製程技術的分析服務。
- 定點切割 (Precision Cutting)
- 穿透式電子顯微鏡試片製作 (TEM Sample Preparation)
- IC線路修補和佈局驗證 (IC Circuit Editing and Verification)
- 製程上異常觀察分析 (Abnormal Process Analysis)
- 晶相特性觀察分析 (Ion Channeling Contrast for Grain Morphology Observation)
- GDS自動導航線路定位 (Auto-Navigation to Designated Failure Address)
- 故障位置定位用被動電壓反差分析 (Passive Voltage Contrast Analysis for Fault Isolation)
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應用實例 |
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聯絡窗口 |
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