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EBIC/EBAC

EBIC (Electron Beam Induced Current) 

EBIC 技術可用來找出接面的缺陷、觀察 p-n 接面的輪廓和計算出擴散長度 (diffusion length)。電子束撞擊試片時會產生電子電洞對,電子電洞對受到空乏區內建電場的分離,再經由點針所構成的迴路形成電流,由電流影像可判斷缺陷位置與接面輪廓。

 

 

 

 

 

EBAC (Electron Beam Absorbed Current) 

EBAC 可快速且有效地定位出線路上開路 (open) 或橋接 (short) 的位置。電子束穿過護層或 IMD,在 metal 層累積電荷,metal 層可深達 3 到 4 層,累積的電荷因點針構成的迴路而形成電流,由電流影像便可判斷開路與短路的位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

常見問題

Q1. 閘極氧化層崩潰 (gate oxide breakdown) 該如何找出失效真因?

A.利用EBIC(electron beam induced current)技術,就可以輕易找到閘極氧化層崩潰的位置喔。由於電子束撞擊樣品時產生電子電洞對,再經由點針構成的迴路形成電流,就可以由電流影像來判斷缺陷的位置。

歡迎點擊閱讀【尋找閘極氧化層崩潰(Gate oxide breakdown)的真因讓您崩潰了嗎?】技術文章!

 

 

 

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