PEM-InGaAs
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技術原理 |
InGaAs EMMI 與傳統 EMMI (Si CCD) 的偵測原理一樣是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子，但由於兩者光子偵測器的材料不同 (InGaAs 及 Si)，偵測的波長範圍也就不一樣。InGaAs 因為能隙較小，可偵測的波長就比較長，範圍約在 900nm 到 1700nm 之間，已是紅外線的波段。隨著元件製程越驅縮小，操作電壓也隨之降低，熱載子的能量也跟著變小，因此因為熱載子所激發出的光波長也跟著變長，而進入紅外線的範圍，所以 InGaAs 便非常適合先進製程對亮點定位的需求。此外，InGaAs 的偵測靈敏度也比 CCD EMMI 來得高，為了獲得較好的亮點偵測能力，InGaAs 也是絕佳的選擇。
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機台種類 |
HAMAMATSU PHEMOS-1000 |
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分析應用 |
與 CCD EMMI 的應用雷同，但比 CCD EMMI 多了以下優點：
- 針對低電壓操作的 IC 檢測提供了更快速的亮點定位 (漏電產生的波長較長)
- 紅外線偵測 (高量子效率) 的高靈敏度
- 針對 IC 背面的定位分析，紅外線對矽基板的透光率較高
- 在亮點偵測期間 (積分期間)，其亮點的呈現是即時的，而不是 CCD EMMI 需在積分完才作亮點的呈現
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聯絡窗口 |
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