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FIB線路修補

材料分析 (MA)

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永續報告書

PEM-InGaAs

技術原理

InGaAs EMMI 與傳統 EMMI (Si CCD) 的偵測原理一樣是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子,但由於兩者光子偵測器的材料不同 (InGaAs 及 Si),偵測的波長範圍也就不一樣。InGaAs 因為能隙較小,可偵測的波長就比較長,範圍約在 900nm 到 1700nm 之間,已是紅外線的波段。隨著元件製程越驅縮小,操作電壓也隨之降低,熱載子的能量也跟著變小,因此因為熱載子所激發出的光波長也跟著變長,而進入紅外線的範圍,所以 InGaAs 便非常適合先進製程對亮點定位的需求。此外,InGaAs 的偵測靈敏度也比 CCD EMMI 來得高,為了獲得較好的亮點偵測能力,InGaAs 也是絕佳的選擇。

 

 

 

 

 

機台種類

HAMAMATSU PHEMOS-1000

 

 

 

 

分析應用

與 CCD EMMI 的應用雷同,但比 CCD EMMI 多了以下優點:

  1. 針對低電壓操作的 IC 檢測提供了更快速的亮點定位 (漏電產生的波長較長)
  2. 紅外線偵測 (高量子效率) 的高靈敏度
  3. 針對 IC 背面的定位分析,紅外線對矽基板的透光率較高
  4. 在亮點偵測期間 (積分期間),其亮點的呈現是即時的,而不是 CCD EMMI 需在積分完才作亮點的呈現
 
 

 

 

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