EBIRCH
|
技術原理 |
EBIRCH 的全名為 Electron Beam Induced Resistance Change，必須在 SEM 腔體下操作。原理與 OBIRCH 類似，藉由兩根奈米探針點在 PAD 或 metal/via 上，形成電流迴路，且給予直流定電壓。在電子束的照射下，材質或操作元件會因電子束的加熱而產生溫度變化，進而導致阻值變化，電流也會隨之改變，EBIRCH 則藉著偵測電流變化位置將失效點有效定位。
此項技術的解析度因為是在 SEM 環境下操作，相較於光學系統的 OBIRCH 更佳，可針對 IC 內部的各層 Metal 和 Poly/Contact 層，偵測電流變化，定位出 short 或偏高阻抗的失效位置。
圖一 上圖與下圖分別是 EBAC 與 EBIRCH 的原理架構示意圖
|
優勢 |
- 針對異常亮點形貌，EBIRCH 生成亮點較為集中，更有效於準確定位異常位置，亮點尺寸約小於 100nm2；而 OBIRCH 生成亮點則較為發散，亮點尺寸約大於 750nm2。
- EBAC 只能針對 open 類型的 interconnect 的問題，偵測阻值需大於 1Mohm，若遇高阻抗以至於 direct short 則需借助 EBIRCH。隨著製程縮小，因阻抗造成的性能問題也隨之增加，在能夠定出問題線路的前提下，EBIRCH 便是非常有力的工具。
圖二 以 EBIRCH 成功定位出 short 的位置
By Brett A. Buchea, Christopher S. Butler, H. J. Ryu, Wen-hsien Chuang, Martin von Haartman, Tom Tong [Intel], ISTFA 2015: Conference Proceedings from the 41st International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 1–5,
圖三 EBIRCH 與 EBAC 所能偵測的阻值範圍，其中 EBIRCH 可偵測 10ohm 至 50Mohm，代表其可偵測 short 到高阻值
|
聯絡窗口 |
|||||||||||
|
|