OBIRCH
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技術原理 |
IR-OBIRCH 的全名為 InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顧名思義為雷射光束引生的電阻變化異常檢驗，其原理是利用波長為 1340nm 的雷射掃描 IC，造成掃描點被局部加溫的作用，在給予一個直流定電壓的情況下，任何材質或操作的元件皆會因溫度變化而產生阻值變化，因此電流也產生變化，OBIRCH 便可藉著偵測電流變化定出 IC 可能的故障位置，即阻值變化較大者，如再附加 lock-in 的功能，更可有效降低雜訊，使訊號更為突顯。
此項技術可從晶片正面與背面施作，能縮短找出阻值異常問題的時間，並且經由更換高電流的針座，可進一步分析高電流及電壓的元件。
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機台種類 |
HAMAMATSU uAMOS-200 |
Meridian S |
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分析應用 |
- IDDQ (Idd guiescent current) 靜態電流故障分析
- 偵測金屬線內的缺陷 (空洞，矽瘤Silicon Nodules)
- 偵測金屬接觸孔的阻值異常 (via, contact 的接觸不良或漏電特性皆可偵測到)
- Metal 或 poly 的橋接
- 線路或元件的燒毀
- 閘極氧化層漏電
- ESD/Latch-up 故障分析
- P-N 接面漏電或崩潰
- 操作中的元件，如電晶體與二極體
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— 新！倒置式 OBIRCH 技術特色 — |
- 倒置式鏡頭，wafer level 分析簡易，有效控制下針範圍與力道
- 提供更好的時效性，解決 pad 狀況不佳，無法打線等製樣問題
- 搭配電路編輯，有效降低訊號引出線後 new wire 的高成本與提升成功率
- 增加 350 倍 SIL 專屬鏡頭，高階製程元件精確定位 (>3nm)
- 結合 C-AFM 與 nanoprobing，增加 TEM 等高階製程 PFA 成功率，整體分析流程全面性再優化
- 搭配新型 active probe，有效偵測極低訊號
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聯絡窗口 |
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