PEM-CCD
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技術原理 |
在 IC 故障分析的流程中，EMMI (又叫做 PEM, Photon Emission Microscope) 是非常基本且常用的故障點定位工具，傳統的 EMMI 是採用冷卻式電荷耦合元件 (C-CCD) 來偵測光子，其偵測波長範圍介於 400nm 到 1100nm 間，此波長相當於可見光和紅外光。
當半導體元件有過多的電子-電洞對產生，會因電子-電洞的結合而產生光子，或者元件的熱載子釋放出多餘的動能，會以光子的型式呈現，此兩種機制所產生的光子可被 EMMI 偵測到，所以舉凡接面漏電、氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應、撞擊游離、順向偏壓及在飽和區域操作的電晶體，可由 EMMI 精確地定位出亮點，進而推知積體電路中的缺陷位置，對後續的電路分析與物性故障分析有莫大的幫助。
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機台種類 |
HAMAMATSU PHEMOS-1000 |
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分析應用 |
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會激發光子的缺陷 |
- P-N 接面漏電或崩潰
- 因開路或短路而誤動作的電晶體
- 閂鎖效應
- 閘極氧化層漏電
- 細絲殘留的多晶矽
- 矽基底的損害
- 燒毀的元件假缺陷 (正常操作即會激發光子)
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假缺陷 (正常操作即會激發光子) |
- 浮接狀態的閘極
- 飽和區操作中的 BJT 或 MOSFET
- 順向偏壓的二極體
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偵測不到光子的情形陷 |
- 光激發位置被上方層次擋到
- 埋入式的接面
- 大面積金屬線底下的漏電位置
- 電阻性短路或橋接
- 金屬連接短路 (有時仍會被 EMMI 偵測到)
- 表面導通路徑
- 矽導通路徑
- 漏電過小 (<0.1uA)
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聯絡窗口 |
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