Benchmark Analysis of Samsung Galaxy S4
閎康科技憑藉多年於半導體及光電通訊等產業的材料分析技術及經驗，提供客戶新產品及新技術的競爭力分析，並可針對客戶需求提供客製化的分析及諮詢服務，不僅可以幫助客戶了解產業最新動態及核心技術之外，也可以提供客戶下一世代產品的設計及改良依據。
以下為近期閎康科技著手分析的一些範例，除了制式的分析範例內容外，閎康也提供了客製化的分析服務，針對客戶的重點部分提供詳盡的解析與諮詢。
|
Samsung Galaxy S4 |
 |
Samsung Galaxy S4 搭載自家的 Exynos 5410 雙四核心處理器與 2GB RAM / 16GB ROM，雙四核心架構可在使用不同程式時自動做更換，用以兼顧效能與功耗表現。 |
|
Samsung Exynos 5410 |
Samsung Exynos 5410 雙四核心處理器，採用 ”big.LITTLE” 架構，以四顆 1.6GHz CortexA15 搭 1.2GHz Cortex A7，並使用 PoP (Package to Package) 的方式與自家的 2GB LPDDR3 一起封裝。
 |
Samsung Exynos 5410 採用 28nm HK silicide gate 製程，Gate length 約 32nm，28nm 製程實際是以 contact size 計算。
 |
|
Samsung 310 NAND flash memory |
Samsung 310 NAND flash memory 的 NAND string 寬度約為 3075nm，64 條 word line 為一 區塊，並採用 air gap製程。
(a) Die marking |
(b) PMOS (8T-SRAM) |
Samsung 310 |
|
|
聯絡窗口 |
|||||||||||
|
|