ICパッケージングとテスト
ICパッケージテスト
ICパッケージングとテストは、チップがウェーハ製造を完了した後の重要な段階です。パッケージングの目的は、単にチップを保護することではなく、再配線(RDL)、ワイヤボンディングまたはバンプ接合、アンダーフィルなどの技術を通じて、チップが安定した電気的および機械的強度でシステム回路基板に接続され、熱経路設計を完了できるようにすることです。チップの統合度と帯域幅の要求が高まるにつれて、パッケージングは単なる構造作業ではなく、信号の完全性、熱管理、信頼性、およびシステム性能に直接影響を与える重要な要素となっています。
実際のプロセスでは、パッケージ材料の特性、RDLおよびバンプ構造、層間熱膨張の違い、はんだ付けおよびリフロー条件などの要因が、界面の弱化、亀裂、金属空洞または電気的偏移を引き起こす可能性があります。これらの問題は、パッケージングの初期、システム組立、使用寿命の異なる段階で発生する可能性があるため、構造分析と応力評価を用いて追跡可能な判断基準を確立する必要があります。
MA-tekは、パッケージングおよびテスト工場がサンプル導入、量産拡大、パッケージング変換および顧客クレーム対応の過程で、断面構造の検証、パッケージ界面の完全性分析、パッケージ後の電気的変化の判断および信頼性寿命評価を提供するのを支援します。高解像度のプロファイル測定と非破壊検査を通じて、異常な位置と形成メカニズムを確認できます。信頼性試験を通じて、パッケージコンポーネントが温度サイクル、湿度負荷および機械的圧力条件下での安定性を予測できます。
適用サービス項目
| 分析項目 | 説明 | MA-tekが技術を提供 |
|---|---|---|
| 外観と寸法の測定 | 製品の外観に欠陥がないか確認し、重要な寸法、線幅、表面形状を測定して、製造プロセスと構造の一貫性を確認します。 | 光学プロファイラー、光学顕微鏡(OM)、走査型電子顕微鏡(SEM) |
| ワイヤーフレームの状態分析 | 導線フレームに変形、ひび割れ、ずれ、または内部構造の異常がないかを評価し、パッケージの品質と信頼性を確保する。 | X線検査(X-ray)、走査型電子顕微鏡(SEM) |
| 欠陥位置特定 | 電気的異常や間欠的な故障の部品に対して、欠陥の発生位置を正確に特定し、今後の分析範囲を縮小します。 | EMMI、OBIRCH |
| 失効分析 | 材料の組成、元素の分布、化学状態を分析し、異物の判定、汚染の追跡、界面分析に使用します。 | SEM/EDS、TEM/EDS、FE-AES、XPS、SIMS |
| 静電放電テスト(ESD) | 静電放電に対する部品の耐性を検証し、製品が量産および応用環境の信頼性要件を満たしていることを確認します。 | HBM、MM、CDM、Latch-up |
分析ケースの共有
よくある質問
Q1. 封装后芯片的电性为何会与封装前不同?
A . 封装过程中的热负载、界面粘附性与布线层应力会影响电性表现。
Q2. パッケージ内部に空洞や亀裂が存在するかどうか、どのように確認しますか?
このような欠陥はパッケージ内部に隠れている可能性があるため、非破壊的な方法で検査する必要があります。
Q3. パッケージング後にしばらく使用してから故障が発生する場合、その原因は何ですか?
A . 熱循環、材料疲勞または界面の弱化に関連している。
Q4. パッケージ移行(パッケージ工場の変更/パッケージ材料の変更)時にリスクを低減する方法は?
A . 封止前後の界面、材料特性および電気的差異を比較する必要があります。
Q5. サンプルが少ない場合でもパッケージ分析はできますか?
A . はい、パッケージの断面と非破壊検査は少量のサンプルで行うことができます。