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TEM透過型電子顕微鏡

Transmission electron microscope, TEM

TEMは高エネルギー電子ビームを超薄サンプルに透過させ、立体角散乱画像を生成し、結晶構造や原子配列を観察することができる、半導体および材料分析の重要なツールです。

よくある質問
Q1. TEM切 X-S 試片一般可切多寬 ? 多深 ? 多薄 ?
A. 一般的なケースのTEM試料の薄い領域の幅は5〜10μm、深さは20μm以内、厚さは約80〜100nmです。
Q2. TEM/EDXで測定した元素比が予想と異なる。例えば、LED製品のGa : Asは理論的には50% : 50%であるべきだが...
A. EDXは通常、定性的および半定量的な分析であり、全体的な傾向を見ることができ、必要に応じて試料の厚さの要素を加えて調整し、より近い比率値を得ることができます。
Q3. TEM/EDXのスポットサイズはどのくらいですか?検出限界は何ですか?
A. TEM/EDXのスポットサイズは約2nmであり、元素濃度が5%以上の場合に検出可能です。
Q4. TEM切 P-V 試片一般可切多大範圍?
A. 試片が一般的な厚さ(100nm)の場合、10x10umの範囲を切ることができます。試片の厚さが厚くなる(約800〜900nm)の場合、25x12umの範囲を切ることができます。
Q5. TEMにおける格子方向の選択領域回折(SAD)の最小選択範囲はどのくらいですか?
A. SADの最小選択範囲は200nmであるため、測定対象の膜厚または結晶粒サイズが200nmを超える場合はSAD分析を使用できる。200nm未満の場合はNBDを使用し、NBDのビームサイズは約3〜5nmである。
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台湾ラボ | シリコン導

褚先生

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01.16
2026
本次研討會以「シリコンで未来を探る:AI × シリコンフォトニクスのスマートな機会探求」をテーマに、AI、高速計算、シリコンフォトニクス、先進パッケージ技術の融合が計算効率をどのように再定義するかを強調し、「スマートな機会探求」の概念を用いて、これらの重要な技術を通じて未来の技術発展の最良の機会を示し、解析します。詳細情報:https://www.matek.com/zh-TW/Seminar/detail/all/20250327
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