ESD 静電防護テストと設計サービス
MA-tekは提供します部品 → モジュール → システムの完全なESD保護検証サービスは、顧客にワンストップの静電気保護評価を提供し、実際の環境における製品の信頼性と安全性を全面的に向上させます。
MA-tekは、完全なESDテスト、Latch-up / 高温Latch-up、EOSテスト設備、TLP / VF-TLP行動分析を備えています。MIL、JEDEC、ANSI、IEC、ISO、AEC-Q国際規格に従って提供可能部品レベルからシステムレベルまで完全な静電気防護の検証と技術相談。
| 機台 | 規範とモードをサポート |
|---|---|
| Zapmaster | HBM / MM / SCDM |
| MK1 | HBM / MM / LU / HT-LU |
| MK2 | HBM / MM / LU / HT-LU |
| MK4 | HBM / MM / LU / HT-LU / Transient-LU |
| ESDガン | IEC / ISO / AEC |
| Celestron | TLP / VF-TLP |
| Oryx | NCDM |
| EOS System | IEC EOS テスト |
1. ESD 本体テスト:HBM / MM / CDM
静電放電は極めて短い時間内に高電流の衝撃を生じるため、標準化されたモデルを用いて異なる状況における放電挙動をシミュレーションする必要があります。
| 測試 | シミュレーションシナリオ |
|---|---|
| HBM(ヒューマンボディモデル) | 人体接触による放電 |
| MM(Machine Model) | 機台金屬碰撞放電 |
| CDM(チャージドデバイスモデル) | ICが自己帯電した後、瞬間的に放電する |
Non-socket CDM
Non-socket CDMはCDMの延長であり、ソケットを使用できない超小型、高密度パッケージ(CSP、WLP、微小BGA)などのコンポーネントに適用されます。
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Thermo Scientific Orion / Orion3
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電圧範囲:±25V ~ ±2000V(1Vステップ)
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Orion3に搭載された6GHzオシロスコープは、高速放電波形をキャッチするために使用されます。
2. ESDが引き起こす可能性のある寄生導通現象:Latch-up / 高温Latch-up
ESDがIC内部に侵入すると、CMOS構造の寄生素子が誤動作を引き起こし、原因となる可能性があります。Latch-upこの現象は電流が持続的に流れることを引き起こし、最終的にICが過熱して損傷する原因となります。したがって、Latch-upは「ESDテストの本体」ではありませんが、ESDプロセスにおいて最も重要な延長検証の一つです。
高温Latch-up(HT-LU)
車用電子及高温アプリケーションは寄生導通を引き起こしやすいため、高温条件下でのテストが必要です。
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設備:Thermonics T-2600BV
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テスト範囲:−30°C ~ +225°C
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標準治具は125°Cまで対応可能です。
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125°Cを超える場合は、カスタム高温治具を使用する必要があります。
- 車電 AEC-Q 要求必做HT-LU車の温度が非常に高いため、Latch-upが発生しやすくなります。
3. ESDよりも大きな電圧イベント:EOS(Electrical Over Stress)
EOSはシステム側で一般的な過電圧イベントであり、ESDと混同されることが多いですが、両者は異なります。EOSは持続時間が長い過電圧/過電流イベントであり、ICに対する破壊力が大きく、実際のアプリケーションで最も一般的な故障原因でもあります。
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設備:KAST KT-200SG
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テスト範囲:±5V ~ ±200V(0.1Vステップ)
EOS テストは効果的に見つけることができます:
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IO 過電圧損傷
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システム側の高電流による熱破壊
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接地不良、錯誤插拔造成的瞬態事件
4. 車電 AEC-Q は ESD の厳格なバージョンです
車用電子は高温、高振動、長期運用などの特性を備えているため、AEC-Q100/AEC-Q101の信頼性規格はESDに対する要求が一般の電子製品よりも厳格です。
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HBMすべてのクラスは測定する必要があり、飛ばしてはいけません。
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Latch-up高温Latch-upを実行する必要があります
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CDMCorner Pinは車両電気の重要な検証項目です
AEC-Q 強調完全性、厳格性、トレーサビリティ車載 IC の安全性を確保するためのコア標準です。
5. ESD性能と設計強度を判別する重要なツール:TLP / VF-TLP
TLP(トランスミッションラインパルス)とVF-TLP(非常に高速なTLP)は、ESD保護回路のI-V特性を分析するために主に使用されます。
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TLPESDモデルの構築、耐性の分析。
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VF-TLP高速瞬時イベント(IEC、CDEなど)をシミュレートし、高度なプロセス、高速IO、RCクランプ、スナップバック動作の分析に適しています。
| テスト項目 | TLP | VF-TLP |
|---|---|---|
| 上昇時間 | 0.2 / 2 / 10 ns | 0.2 ns(より高速) |
| 波長 | 100 ns | 1.25 / 2.5 / 5 ns |
| 最大脈衝電流(50Ω) | 20A(短絡約 40A) | 15A(短絡約 30A) |
| 最大開路電圧 | 2000V | 1500V |