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TEM試料の準備

FIBの横断面TEM試料の準備には、3つの方法があります:予め薄化法 (Pre-Thin)、静電吸引法 (Lift-out)、プローブ引き出し法 (Omni-probe)FIBの選択は、サンプルの分析ニーズに依存します。

予備薄化法
Pre-Thin

予め薄化法の試料製作は、まず研磨によって試料を5-10 μmに薄くし、その後FIBでTEM観察用の0.1 μmの厚さに薄化します。この方法の利点は、非常に大きな面積(約50 μm)で、厚さが均一なTEM試料を得ることができることです。薄い部分の周囲は同じ材料で固定されているため、薄い部分の試料は変形や巻き込みの心配がありません。しかし、この方法は研磨を経てFIB切断を行う必要があるため、手間がかかり、時間もかかり、研磨が失敗するリスクもあります。

 

静電吸引法
Lift-out

 

吸引法による試料の準備は、まずFIBを用いてサンプリングエリアを薄くし、次にU字型切断で薄片を試料から分離し、最後にガラスプローブを使用して静電吸着方式で取り出し、炭素膜を施した銅網の上に置きます。
3. プローブ取り出し法
Omni-probe

プローブ取り出し法では、試料をFIBで1-2μm程度粗切りし、サンプルから切り離した後、FIBでPtを堆積してプローブと試料を接合し、プローブを移動させて試料を試料台に移動させます。次に、FIBでPtを堆積して試料を試料台に接合し、その後FIBでプローブを試料から切り離し、最後にFIBで試料をTEM観察に適した薄さに仕上げます。

 

これは最も複雑で時間がかかるTEM試料の準備方法で、全作業時間は約1.5〜2時間ですが、この方法ではTEM観察後に必要に応じて試料の厚さを部分的に修正するためにFIBに出入りして再施工することができます。したがって、TEM試料の準備におけるゼロエラーとゼロリスクを保証することができ、通常は非常に重要な試料分析にこの方法が採用されます。

 

TEM 試片製作過程の各ステップ記録:

(a)、(b) 切り取った試料にプローブを貼り付ける
(c) 試片を吸い出す
 

 

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01.16
2026
本次研討會以「シリコンで未来を探る:AI × シリコンフォトニクスのスマートな機会探求」をテーマに、AI、高速計算、シリコンフォトニクス、先進パッケージ技術の融合が計算効率をどのように再定義するかを強調し、「スマートな機会探求」の概念を用いて、これらの重要な技術を通じて未来の技術発展の最良の機会を示し、解析します。詳細情報:https://www.matek.com/zh-TW/Seminar/detail/all/20250327
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