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SIMS 二次イオン質量分析計

二次イオン質量分析法
二次イオン質量分析計(SIMS)は、高感度の表面および深さ成分分析技術であり、ナノレベルで材料の表層からマイクロメートルの深さまでの元素分布、濃度変化および化学状態を解析することができます。その原理は、高エネルギーイオンビームで試料表面を照射し、試料から「二次イオン」を放出させ、質量分析システムを通じてその質量対電荷比(m/z)を分析し、さまざまな元素および化学種の存在と濃度を判定することです。SIMSは「材料の組織を透視できる顕微鏡」のようなものであり、一般的な観察方法では検出できない微量元素および不純物の分布を明らかにすることができます。
二次イオン質量分析法は以下の3種類です:
表面画像分析 (ion image)
試料表面に元素またはイオンの空間分布画像を構築する。
縱深分析 (depth profile)
表面から底部までの追跡元素や不純物の濃度変化。
オンライン登録
01.16
2026
本次研討會以「シリコンで未来を探る:AI × シリコンフォトニクスのスマートな機会探求」をテーマに、AI、高速計算、シリコンフォトニクス、先進パッケージ技術の融合が計算効率をどのように再定義するかを強調し、「スマートな機会探求」の概念を用いて、これらの重要な技術を通じて未来の技術発展の最良の機会を示し、解析します。詳細情報:https://www.matek.com/zh-TW/Seminar/detail/all/20250327
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