走査型電子顕微鏡分析技術の発展 - 幅広バンドギャップ半導体の外延欠陥分析を例に
本文の議論は、六方構造を持ついくつかの広帯域ギャップ半導体、例えば窒化ガリウム（GaN, Eg=3.4 eV）、窒化アルミニウム（AlN, Eg=6.2 eV）、酸化亜鉛（ZnO, Eg=3.3 eV）、およびシリコンカーバイド（4H-SiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）に主に焦点を当てています。これらの広帯域ギャップ半導体、特に窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛は、表面音波素子、紫外線および青色光の検出器、発光ダイオード、レーザーダイオードに広く応用されています。
二次イオン質量分析計(SIMS)による集積回路プロセスの品質監視の分析応用
最先端の半導体応用チップは、優れたIC回路設計だけでなく、完璧なナノデバイス構造と新世代または先進的な半導体プロセス技術の組み合わせが必要であり、チップの最適な性能を達成します。
先進トランジスタ技術と発展のトレンド
従来の半導体のサイズが微細化するにつれて、トランジスタのゲート長も徐々に縮小しています。半導体チップの製造技術を評価するために、従来はトランジスタのゲート幅が指標としてよく使用されます。ゲート幅が小さいほど、トランジスタが小さくなり、同じサイズのチップにより多くのトランジスタを収容できることを意味し、結果として機能が増え、性能が向上します。
サファイア基板上に成長したN型β-Ga2O3多結晶膜のイオン注入による製造とそのデバイス特性に関する研究
近年、電気自動車と再生可能エネルギーの急速な発展により、市場におけるパワーデバイスの需要と性能要求が増加していますが、Siのバンドギャップ（Bandgap, Eg）は1.12 eVしかなく、大電圧に耐えることができません。現在、高電圧・大出力のパワーデバイスには、徐々に第3世代のワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）で作られたデバイスが採用されています。これらの材料で作られたデバイスは、パワーデバイスの電圧と出力を大幅に向上させ、電気自動車や再生可能エネルギーの改善に寄与します。
