合作專欄
08.02
2024
掃描式電子顯微鏡分析技術的發展 - 以寬能隙半導體的外延缺陷分析為例
本文的討論主要聚焦於具有六方結構的幾種寬能隙半導體，如氮化鎵（GaN,Eg=3.4 eV）、氮化鋁（AlN, Eg=6.2 eV）、氧化鋅（ZnO, Eg=3.3 eV）和碳化矽（4HSiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）。這些寬能隙半導體，特別是氮化鎵、氮化鋁和氧化鋅，已經廣泛應用於表面聲波元件、紫外光與藍光的偵測器、發光二極體和雷射二極體。
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07.01
2024
二次離子質譜儀(SIMS)於積體電路工藝質量監控的分析應用
頂尖的半導體應用晶片除了需要優異的IC電路設計外, 更需要完美的奈米元件結構搭配以新世代或先進的半導體工藝技術, 以達到晶片最佳的效能表現。
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04.28
2024
先進電晶體技術與發展趨勢
隨著傳統半導體尺寸的微縮，電晶體的柵極長度(gate length)也逐漸縮小。為了評估半導體晶片製作技術，傳統上常使用電晶體的柵極線寬作為指標，因為柵極線寬越小，代表電晶體越小，相同尺寸的晶片就能容納更多的電晶體，進而意味著功能越多、效能越好。
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02.05
2024
以離子注入研製成長於藍寶石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近幾年電動車與再生能源的快速發展，市場對功率器件的需求與效能要求不斷增加，而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV，無法承受大電壓，目前在高電壓、大功率的功率器件以逐漸採用第三代寬能帶半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)所製作之器件，此些材料所製作之器件在功率器件的電壓與功率可大幅提升，進而可改善在電動車與再生能源能源應..
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