C-AFM 導電原子力顯微鏡
C-AFM（Conductive Atomic Force Microscopy）導電原子力顯微鏡是以原子力顯微鏡（AFM, Atomic Force Microscope）為基礎，結合導電探針與偏壓施加機制，實現表面形貌與局部電流訊號同步量測的高解析電性分析技術。
AFM 由 IBM 蘇黎世研究中心的 Gerd Binnig 與史丹佛大學 Calvin Quate 於 1985 年發明，主要目的在於讓非導體樣品亦能進行掃描探針顯微觀測。與掃描穿隧顯微鏡（STM）不同，AFM 偵測的是探針與樣品原子間的凡得瓦力（van der Waals force），因此可應用於導體、半導體與絕緣體等各類型材料，C-AFM 則進一步在接觸模式下於針尖或樣品施加偏壓，使探針在掃描表面時同步量測每一接觸點的電流分佈，從而在奈米尺度下精準定位電性異常區域。
在 AFM 掃描過程中，探針針尖原子與樣品表面原子間的作用力會導致懸臂產生微小偏折，系統透過光學偵測懸臂變化，建立表面 Topography。
C-AFM 在此基礎上：
-
於針尖或樣品施加 DC 偏壓（例如 −10V 至 +10V）
-
量測各掃描點的電流訊號
-
透過放大器與濾波系統提高訊號靈敏度
-
同步建立電流分佈圖（Current Map）
C-AFM 特別適用於半導體製程與元件失效分析中的局部電性問題，包括 Contact / Via 阻值偏高、接觸不良或局部導通異常、接面漏電、閘極氧化層漏電、介電層缺陷，透過 Topography 與 Current Map 的對照，可直接比對結構與電性差異，精準鎖定問題區域。
除影像分析外，C-AFM 可針對指定點位進行電壓-電流（I-V）曲線量測，比較不同區域之電性行為，透過 I-V 曲線可判斷：
-
歐姆接觸或蕭特基接觸特性
-
接觸窗類型（P+ / N+ / Poly contact）
-
漏電導通機制
-
氧化層穿隧或崩潰行為
-
圖｜C-AFM 可同時得到表面形貌圖與電流強度訊號 (a) Topography、(b) Current with +1V bias、(c)Current with -1V bias -
圖｜C-AFM 針對 (A, B, C, D) 四點所量測出來的電壓-電流曲線
