雷射蝕刻去封膠
雷射蝕刻去封膠（Laser Decapsulation）是非接觸式製程，常用於 失效分析（Failure Analysis, FA） 的樣品製備技術，在許多需要局部開封或快速檢測的分析流程中，透過高能量雷射光束照射封裝材料，使 環氧樹脂（Epoxy molding compound）產生熱分解或灰化（ablation），從而逐步去除封裝層並裸露晶粒與內部結構。
相較於化學去封膠，雷射去封膠具有 高精度加工能力，可透過控制雷射功率、掃描範圍與加工深度，精準調整開封區域，能有效 控制開窗尺寸（Opening window），避免過度蝕刻造成晶粒或金線結構損傷，同時降低對 IC 電性的影響。
閎康科技長期深耕半導體材料分析與失效分析領域，具備完整的 雷射去封膠與顯微分析整合能力。透過高精度雷射去封裝設備與專業製程控制，可精確移除 IC 封裝樹脂，並有效保護晶粒與內部封裝結構，為後續失效分析與顯微檢測提供高品質樣品。
閎康科技亦可將 雷射去封膠與化學蝕刻去封膠技術整合應用，先利用雷射進行局部開封，再透過化學蝕刻去除殘餘封裝材料，以確保晶粒結構完整裸露並提升分析品質，結合 OM、SEM、FIB 與 TEM 等多種材料分析技術，閎康科技能提供完整的 IC 失效分析與封裝結構檢測服務，協助客戶快速定位問題並提升產品可靠度。
- 精準控制開窗範圍：透過雷射加工技術，可精確控制去封裝區域與深度，避免過度蝕刻造成晶粒或金線結構損傷，特別適合局部開封與精密分析需求。
- 快速且高效率的樣品製備：雷射去封膠可快速移除封裝材料，大幅縮短樣品製備時間，提升失效分析與品質檢測的效率。
- 降低對元件電性的影響：透過精確的雷射能量控制，可有效降低加工過程對 IC 電性與內部結構造成的影響，確保後續電性分析的可靠性。
- 適用多種封裝結構：雷射去封膠技術可應用於多種 IC 封裝型式，例如 QFN、BGA、SOP、QFP 等封裝元件，能因應不同分析需求進行客製化開封。
雷射去封膠完成後，可裸露晶粒與內部封裝結構，以進行後續顯微分析與電路檢測，例如：IC 失效分析（Failure Analysis）、封裝結構檢查、金線接點品質分析與電路觀察與逆向工程等。
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圖｜雷射精準開窗觀察晶粒結構
雷射去封膠可精確控制開窗範圍，使封裝樹脂局部移除並裸露晶粒與內部金線結構，便於後續顯微觀察與電性分析。
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圖｜金線第二接點品質檢測
雷射開封後可利用顯微分析技術觀察金線接點（Bonding）結構，例如第二接點（Second bond）品質、焊接形貌與接合狀態，以評估封裝可靠度。
