乾式蝕刻及研磨去層次
乾式蝕刻及研磨去層次（Delayer）是透過 離子乾蝕刻、化學蝕刻或機械研磨 等方式，將積體電路（IC）內部的金屬層與介電層逐層移除，使各層電路結構能夠被清楚觀察與分析。現代半導體晶片通常包含多層金屬互連結構（Metal Interconnect），例如 Metal1、Metal2 至 Metal6 甚至更多層。這些金屬層與氧化層彼此堆疊形成複雜的電路架構，因此在進行 缺陷定位、製程診斷或電路解析 時，往往需要透過去層次技術逐層移除材料，以顯露每一層的佈線結構。
在去層次過程中，工程師必須精確控制材料移除速率與停止層位置，以避免損傷下層電路或破壞關鍵結構。透過適當的蝕刻條件與研磨製程，可在特定層次停留並保留目標結構，進而進行後續的顯微分析與電路觀察，透過去層次後的晶片結構，工程師可搭配 光學顯微鏡（OM）與掃描式電子顯微鏡（SEM） 進行高解析度觀察，進一步確認製程缺陷或解析電路設計。乾式蝕刻與機械研磨去層次技術廣泛應用於半導體製程缺陷分析、IC 開路／短路故障定位、金屬層裂痕與蝕刻殘留檢測、電路佈線結構解析與IC 逆向工程等。
IC 層次去除主要利用 化學蝕刻、氣體乾蝕刻或機械研磨 的方式，逐步移除晶片內部結構中的金屬層與介電層。透過精確控制蝕刻條件或研磨速率，可在特定層次停止並保留目標結構，進而進行後續分析。在實際分析中，工程師通常會 結合多種去層次技術，以確保每一層電路結構都能清晰呈現並避免損傷。
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化學蝕刻去層次：利用酸性或鹼性化學溶液選擇性溶解金屬或氧化層。
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離子乾蝕刻去層次（Reactive Ion Etching, RIE）：透過電漿反應與離子轟擊方式移除材料，可精確控制蝕刻方向性與均勻度。
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機械研磨去層次（Mechanical Polishing）：以精密研磨設備逐步磨除材料，適合快速移除大面積層次。
在半導體故障分析與產品解析過程中，IC 去層次技術透過逐層移除材料並觀察每一層結構，可有效協助工程師定位缺陷來源並解析電路設計，在 故障分析應用 中，去層次技術可用於觀察製程中可能發生的異常，例如：金屬層斷線或裂痕、接孔（Via）填充不良、蝕刻殘留（etch residue）、氧化層缺陷、金屬短路或開路，透過逐層分析電路結構，可有效判斷缺陷形成的位置與可能原因。在 逆向工程應用 中，工程師則可藉由層次去除與顯微影像分析，重建晶片內部每一層的佈線設計，進而解析電路架構與功能配置。
閎康科技長期深耕半導體失效分析與材料分析領域，具備完整的 IC 去層次與顯微分析整合能力。透過專業工程團隊與先進設備，可精確控制層次移除並確保晶片結構完整。
- 精確層次控制能力：可依據不同製程結構與材料特性，選擇最適合的蝕刻或研磨技術，精確控制停留層位置。
- 多技術整合分析能力：可結合 OM、SEM、FIB、TEM、EBSD、EDS 等多種分析技術，提供完整的故障分析流程。
- 豐富的先進製程分析經驗：具備多層金屬製程與先進製程元件的分析經驗，可處理高密度電路與複雜封裝結構。
- 高成功率的樣品製備技術：透過成熟的製程控制與專業操作，可確保去層次樣品品質並提高分析成功率。
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圖｜精密研磨機台（Mechanical Polishing System）
精密研磨設備可透過控制研磨壓力與研磨速率，逐步去除晶片材料，常用於 IC 去層次前期的大面積材料移除或層次平整化處理。 -
圖｜反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etching, RIE）
反應式離子蝕刻機（RIE）利用電漿反應與離子轟擊機制，精確移除晶片中的金屬層或介電層材料，可控制蝕刻速率與方向性，常用於 IC 去層次與微結構加工。
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圖｜光學顯微鏡影像（OM Imaging）
透過光學顯微鏡觀察 IC 去層次後的金屬佈線結構，可快速辨識不同金屬層（Metal 1 至 Metal 6）的佈線配置與結構分布。 -
圖｜掃描式電子顯微鏡影像（SEM Imaging）
利用掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察去層次後的電路結構，可獲得更高解析度的金屬佈線與接孔結構影像，協助分析微細製程缺陷與電路細節。
