EBAC 電子束吸收電流分析技術

EBAC 分析是在 SEM 環境中進行。當電子束掃描至晶片表面時，電子束可穿透保護層與介電層（Interlayer Dielectric, ILD），並在金屬導線中產生電子訊號。若金屬導線為正常導通狀態，電子束所產生的電荷可透過探針所形成的電流迴路被導出並量測。

然而當金屬導線存在開路缺陷或高阻抗區域時，電流傳導將在缺陷位置中斷，使該區域的 EBAC 電流訊號產生明顯變化，透過電流訊號的空間分佈影像，工程師即可快速判斷導線導通狀態並定位缺陷位置。由於電子束具有高解析度掃描能力，即使金屬導線位於下層金屬導線，EBAC 可以有效追蹤導通路徑並找出電路中斷的位置，因此在先進製程失效分析中被廣泛使用。

在半導體產品開發與量產過程中，金屬互連缺陷是常見的失效來源之一。EBAC 技術透過電子束誘發電流量測，可在奈米尺度下快速定位金屬導線的開路或高阻抗缺陷，因此在失效分析流程中具有重要角色，EBAC 常被用於分析：

• Metal Open Defect：當金屬導線發生斷裂或製程缺陷導致導通中斷時，EBAC 可精準定位開路位置。
• High Resistance Contact：若金屬接觸點阻值異常升高，EBAC 影像中也會呈現電流訊號變化，協助工程師判斷問題來源。
• 多層金屬互連失效：EBAC 可追蹤多層金屬互連導通路徑，辨識深層導線中的缺陷位置。

在先進製程 IC 失效分析中，單一分析技術往往難以完整定位缺陷。不同缺陷類型，例如 金屬開路（Open）、短路（Short）、漏電（Leakage）或高阻抗（High Resistance），需要搭配不同的電性定位技術進行交叉驗證。

閎康科技透過整合 EBIC、EBAC、EBIRCH 與 OBIRCH 等先進定位技術，可針對不同失效模式快速找出缺陷位置，並進一步搭配 FIB、TEM 等物理分析方法確認根因。

隨著製程節點邁向 5nm、3nm 甚至 2nm，晶片內部結構變得更加複雜，缺陷位置往往位於深層金屬或奈米級接面。

透過不同分析技術的交叉應用，可以：

• 提高缺陷定位成功率

• 減少誤判

• 縮短分析時間

• 提升後續 FIB / TEM 製樣成功率

因此在先進製程失效分析中，EBIC、EBAC、EBIRCH 與 OBIRCH 已成為不可或缺的電性定位工具。

隨著半導體製程節點持續微縮，多層金屬互連結構的可靠度對晶片性能與良率影響愈加重要。EBAC（Electron Beam Absorbed Current）技術利用電子束與金屬導線交互作用所產生的電流訊號，可在奈米尺度下快速定位開路與高阻抗缺陷，並成為先進製程失效分析流程中的關鍵工具。

閎康科技長期深耕半導體材料分析與失效分析領域，建立完整的先進製程分析平台。在 EBAC 技術應用上，閎康科技可結合多項電性與材料分析技術，提供更完整的缺陷定位與根因分析能力，透過整合：

• SEM-based Nano-probing

• EBIC / EBIRCH 電子束誘發分析

• OBIRCH 雷射阻值變化定位

• C-AFM 導電原子力顯微鏡

• FIB 精準截面製樣

• TEM 奈米結構分析

可形成從 電性缺陷定位 → 結構分析 → 材料根因驗證 的完整失效分析流程。透過跨技術整合與專業判讀能力，能有效縮短定位時間並提高分析成功率，為先進製程與高可靠度產品提供高效率且高可信度的分析解決方案。