PEM-CCD
PEM-CCD（Photon Emission Microscopy with CCD detector），亦稱為 EMMI（Emission Microscopy），是一種廣泛應用於非破壞性亮點定位技術，其原理為在 IC 通電操作下，偵測因電子–電洞複合或熱載子效應所釋放出的微弱光子，藉此定位晶片內部的異常或失效位置，協助工程師判斷是否需進一步採用 InGaAs-PEM、電性量測或破壞性分析手段，提升整體 FA 流程的效率與成功率。
PEM-CCD 採用冷卻式電荷耦合元件（Cooled CCD, C-CCD）作為光子偵測器，可偵測的波長範圍約為 400 nm 至 1100 nm，涵蓋可見光與部分近紅外光區域，因此長期以來一直是 IC 故障點初步定位的標準工具。
PEM-CCD（EMMI）結合成熟的光子發射分析技術與閎康科技的失效分析經驗，為 IC 故障定位提供穩定、可靠且高效率的解決方案。當半導體元件發生異常時，可能因以下機制產生光子發射現象：
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電子–電洞複合（Electron-Hole Recombination）
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熱載子效應（Hot Carrier Emission）
這些光子會集中於異常或失效區域，形成可被 PEM-CCD 偵測到的亮點（Hot Spot），透過亮點的位置、分布與強度分析，可協助工程師快速縮小失效範圍，作為後續電路分析、電性驗證與物性分析的重要依據。
上圖為 EMMI 光子發射分析示意圖。當 IC 在異常操作或失效狀態下，電子–電洞複合或熱載子效應會釋放光子，經 CCD 偵測器收集並成像。
下圖為實際分析結果範例，亮點位置對應晶片內部的漏電、短路或異常導通區域，可作為後續電路分析與物性分析之定位依據。
在實務應用上，PEM-CCD 特別適用於會產生明顯光子發射的失效情境，透過亮點定位，可有效提升失效分析效率並降低不必要的破壞性分析風險。
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P-N 接面漏電或崩潰
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因開路或短路導致誤動作的電晶體
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閂鎖效應（Latch-up）
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閘極氧化層漏電或崩潰
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多晶矽殘留造成的異常導通
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矽基板損傷
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過電流造成的局部燒毀元件
需特別注意的是，並非所有 EMMI 亮點皆代表實際失效。部分正常操作條件下亦可能產生光子，例如：浮接（Floating）狀態的閘極、操作於飽和區的 BJT 或 MOSFET、順向偏壓的二極體。因此，PEM-CCD 的分析結果通常需搭配電性量測與電路行為一併判讀，以避免誤判。
由於 PEM-CCD 屬於光子發射分析技術，在以下情況下偵測能力可能受限，在此類案例中，通常需搭配 PEM-InGaAs、OBIRCH、LVP 或其他進階 FA 技術 進行交叉分析。
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發光位置被上層金屬或介電層遮蔽
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深層或埋入式接面缺陷
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大面積金屬線下方的漏電位置
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電阻性短路或橋接
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表面或矽內部導通路徑
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漏電電流極小（低於約 0.1 µA）
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深厚的失效分析經驗：長期服務先進製程、車用、工業與高可靠度 IC，能快速判斷亮點屬性，避免誤判假缺陷。
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完整的 FA 技術整合能力：PEM-CCD 可與 InGaAs-PEM、電性量測、FIB 修補、結構與材料分析無縫銜接，提升分析成功率。
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專業的測試規劃與條件設定：依元件特性調整偏壓、積分時間與量測策略，使微弱亮點亦能穩定呈現。
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一站式失效分析服務（One-Stop Service）：從初步定位、深入分析到根因判定，由同一團隊整合執行，縮短專案時程。
