AES 歐傑電子能譜儀
歐傑電子能譜分析（Auger Electron Spectroscopy, AES）是一種高解析度的表面元素分析技術，
可用於分析材料表面極薄層的元素組成與化學狀態。
MA-tek（閎康科技）配置 JEOL JAMP-9500F 場發射式掃描歐傑電子能譜分析儀（FE-AES），
搭載半球型能量分析器（Hemispherical Energy Analyzer, HSA），可提供高達 0.05% 的電子能量解析度。
系統同時具備高解析度掃描電子顯微鏡（SEM）功能，影像解析度可達 3 nm，而 Auger Mapping 空間解析度可達約 8 nm。
AES利用高能電子束轟擊樣品表面，使原子內層電子被激發並產生歐傑電子（Auger Electron）。
由於不同元素所產生的歐傑電子具有特定能量，因此可透過能量分析器判斷材料的元素種類與分布。
AES對表面具有極高敏感度，通常可分析材料表面約 5–8 nm 深度範圍的元素資訊，適合用於表面污染分析、薄膜界面分析與材料研究。
此外，AES可搭配離子蝕刻（Ion Sputtering）進行縱深分析，以觀察多層薄膜之間的元素分布與擴散情形。
透過資料庫比對，亦可進行化學態分析，特別適用於過渡金屬元素及多種化學態共存的材料系統。
場發射式歐傑電子能譜分析儀
可提供奈米尺度的高解析表面元素分析能力。該系統結合**高解析掃描電子顯微鏡（SEM）**與歐傑電子能譜分析技術，可同時進行表面形貌觀察與元素分析。
JAMP-9500F 採用**半球型能量分析器（HSA）**與高亮度場發射電子槍，
可提供高能量解析度與極佳的空間解析能力。其中：
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SEM 影像解析度可達約 3 nm
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Auger Mapping 解析度可達約 8 nm
此設備特別適用於奈米尺度的表面元素分析、污染分析與薄膜界面研究。
常見應用包括：
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表面污染與殘留物分析
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薄膜與多層結構元素分布分析
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表面氧化層與界面分析
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奈米尺度元素 Mapping
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半導體製程與材料失效分析
透過高解析度的表面分析能力，FE-AES 可提供材料表面約 5–8 nm 深度範圍的元素與化學資訊，是分析奈米級材料與微電子元件的重要工具。
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(a) Al pad縱深分析能譜
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(b) Al pad表面分析能譜
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(c) 氧化鐵的化學態分析
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(d) 導通孔(TSV) AES mapping
