Thermal EMMI

Thermal EMMI 採用高靈敏度 InSb（Indium Antimonide）紅外偵測器，在元件通電狀態下量測其所產生的熱輻射分佈。當晶片內部存在漏電、局部短路或接觸阻抗異常時，該區域會產生微小溫升（ΔT），透過高解析紅外影像系統，可將這些熱源分佈轉換為可視化熱影像，並透過鎖定放大技術（Lock-in）提升信噪比，使極微小溫差亦能被辨識，除了平面定位外，Thermal EMMI 亦可透過熱擴散特性推估熱源縱深位置，對於多層封裝與堆疊晶片分析尤為重要。

系統可於不開蓋狀態下進行定位，有效縮短分析流程並降低樣品風險。對於尚未確定缺陷位於晶片或封裝的案例，可快速進行初步區分。其熱源縱深判讀能力，使分析人員可評估缺陷位置是否位於堆疊晶片、封裝打線層或 PCB traces 中，避免不必要的破壞性切割。

Thermal EMMI 不僅適用於 IC，在功率型元件與高電壓測試條件下，更能展現其高穩定度與寬量測範圍的優勢，可應用於：

• PCB 大面積熱異常分析

• 面板與顯示器漏電定位

• 被動元件與模組產品

• 功率元件與高電流應用產品

閎康科技長期深耕先進製程與封裝層級失效分析，具備 Thermal EMMI、PEM-CCD、InGaAs、OBIRCH 與電性量測等完整技術整合能力，透過跨技術平台協作與專業判讀經驗，可依失效模式選擇最佳定位工具，有效縮短定位時間、提高缺陷辨識精度，並提升後續物理失效分析（PFA）成功率。

圖｜Thermo ELITE 高階熱發射分析系統

Thermo ELITE 高階熱發射分析系統

Thermo ELITE 為高性能 Thermal Emission 分析平台，適用於高電壓、高電流與功率元件應用。

 

系統適合功率元件與大面積模組產品分析，主要技術規格包含：

• 電壓範圍：±3000V（@100mA）

• 電流範圍：3A（@40V）

• 鎖定頻率範圍：1Hz–89Hz

• 廣角視野範圍：30cm × 30cm

• 鏡片選項：WA、1X、10X、LSM20X、LSM50X

• 支援背面探針與影像鑲嵌拼接技術

圖｜HAMAMATSU THEMOS mini

HAMAMATSU THEMOS mini

THEMOS mini 為體積精巧且高靈敏度之熱定位設備，可快速透過 IC 正面或背面定位缺陷位置，特別適合空間有限或快速判定需求之分析情境。

Thermal EMMI 具備市場上極高靈敏度之熱源偵測能力，能在數秒內達到 <1 mK 的溫度解析度，長時間穩定量測甚至可低至 <10 µK。透過即時鎖定測量技術，可顯著提升信噪比，使微小異常熱源更加清晰。技術支援靜態與動態分析模式，可在實際操作條件下觀察元件熱分佈變化，特別適用於產品開發階段的應用狀態驗證。

透過熱源縱深判讀能力，可區分缺陷位於晶片本體或封裝層級，協助快速縮小後續破壞性分析範圍，Thermal EMMI 可廣泛應用於：

• 金屬接觸孔（Via / Contact）阻值異常

• 堆疊晶片（Stacked Die）與封裝打線異常

• PCB traces 缺陷或短路

• 介電層崩潰與漏電

• TFT-LCD 或 Organic EL 漏電定位

• ESD 與 Latch-up 故障分析

• 功率元件異常發熱分析

• 大面積產品（PCB、面板、被動元件）熱源定位