化合物半導體

化合物半導體（如 GaN、SiC、VCSEL、LED 等）具備高電子遷移率、高耐壓、高頻操作與耐熱特性，被廣泛應用於 車用電源模組、高效率電源轉換（SMPS / 快充）、雷射光源、光通訊與感測器 等領域。
與矽（Si）不同，化合物材料本身具有 晶格不匹配、缺陷密度高、熱膨脹係數差異大 等特性，這些先天條件使其製程控制、界面品質與長期可靠度更加敏感。

在晶體生長、外延沉積、蝕刻、金屬接觸形成到封裝過程中，晶體結構缺陷、導電層與阻擋層的界面品質、接觸電阻穩定性、熱管理能力 都會直接影響元件效率、功率密度與壽命。因此，化合物半導體的量產能力，取決於能否精確掌握材料與界面狀態，並建立可量測、可追溯的可靠度驗證方法。

閎康科技在化合物半導體領域，協助客戶評估 晶體結構品質（缺陷密度與位向分佈）、材料擴散行為、電性導通界面、封裝熱應力與長期可靠度。透過高解析結構分析、電性行為對應與加速壽命試驗，可確認元件性能衰退、轉折點與導致失效的根本機制，並提供製程與材料調整方向。