晶圓與晶片層級分析

在光電與半導體元件的製造過程中，晶圓（Wafer）與晶片（Chip）階段的材料品質與結構設計，將直接影響元件性能、發光效率與產品可靠度。特別是在 LED、光電元件與先進半導體製程中，磊晶結構、多重量子井（MQW）、薄膜厚度與摻雜分佈等關鍵因素，皆需透過高解析度分析技術進行精密檢測與評估。

閎康科技提供完整的晶圓與晶片層級分析服務，透過電子顯微鏡、材料分析與元素深度剖面技術，深入解析元件的結構與材料組成。透過 TEM、SEM、EDX、SIMS 等先進分析工具，可觀察 LED 磊晶層結構、晶體缺陷與元素分佈情形，協助客戶評估材料品質、釐清製程異常並優化製造流程。

在產品研發與製程優化過程中，晶圓與晶片層級的精密分析可有效提升元件品質與良率，並為光電與顯示技術產品提供更可靠的製程驗證與品質控管基礎。

LED 晶片結構與磊晶層分析

透過 X-ray、SEM、TEM 與 HAADF 等多尺度分析技術，可觀察 LED 晶片中的磊晶結構、多重量子井（MQW）與晶體缺陷，並評估元件製程品質與材料特性。

(a)X-ray image；(b)SEM image；(c)TEM image；(d)TEM image ；(e)TEM image；(f)HAADF image；(g)Optical Profile

LED 元件結構與摻雜深度分析