chip internal defect location
晶片內部缺陷定位
晶片內部缺陷定位是半導體失效分析中的關鍵步驟，目的在於於不破壞或最小破壞樣品的前提下，精準找出晶片內部真正發生異常的位置。隨著先進製程節點與高整合 IC 架構發展，缺陷往往隱藏於多層金屬、複雜互連或主動元件區域，僅透過外觀或單一量測已難以判斷失效來源，因此必須透過系統化的缺陷定位流程，逐步縮小範圍，為後續結構與材料分析建立明確方向。
常見晶片內部缺陷定位的問題
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晶片功能異常但外觀正常
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電性量測顯示短路（Short）或漏電（Leakage）
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局部區域過熱或電性不穩定
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ESD / EOS 損傷導致內部結構異常
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先進製程或高整合晶片無法以傳統方法判斷失效位置
閎康的晶片內部缺陷定位分析能力
閎康科技依據多年半導體失效分析經驗，建立由電性特徵 → 缺陷訊號 → 精準定位的分析流程，協助客戶在複雜結構中有效鎖定真正的缺陷來源。
01
電性特徵
(Electrical characteristics)
02
缺陷訊號
(Defect signal)
03
精準定位
(Precise positioning)
