IC Packaging and Testing
IC 封裝測試
IC 封裝與測試是晶片完成晶圓製造後的關鍵階段。封裝的目的不是僅將晶片保護起來，而是透過重新分佈佈線（RDL）、導線鍵合或凸塊接合、底部填充（Underfill）等技術，使晶片能以穩定的電性與機械強度，與系統電路板連接並完成散熱路徑設計。隨著晶片整合度與頻寬需求提高，封裝不再是單純的結構作業，而是直接影響訊號完整性、熱管理、可靠度與系統效能的關鍵環節。
在實際製程中，封裝材料特性、RDL 與 Bump 結構、層間熱膨脹差異、焊接與迴焊條件等因素，都可能造成界面弱化、裂縫、金屬空洞或電性偏移。這些問題可能在封裝初期、系統組裝、使用壽命中不同階段出現，因此需要以結構分析和應力評估建立可追溯的判定依據。
閎康科技協助封裝與測試廠在樣品導入、量產放大、封裝轉換及客訴應對過程中，提供 截面結構驗證、封裝界面完整性分析、封裝後電性變化判定與可靠度壽命評估。透過高解析度剖面量測與非破壞檢測，可以確認異常位置與形成機制；透過可靠度試驗，可預測封裝組件在溫度循環、濕度負載與機械壓力條件下的穩定性。
Application Examples
應用實例
適用服務項目
| 服務類別 | 常見問題情境 | 閎康提供技術 |
|---|---|---|
| 封裝結構截面分析 | 封裝後電性異常、界面脆弱、良率下降 | FIB 截面製備、SEM / TEM / STEM、EDS 材料分佈分析 |
| 非破壞性封裝檢查 | 客訴案件、封裝一致性確認、量產抽驗 | X-ray、XCT（3D X-ray）、SAM、SAT |
| 封裝應力與熱行為評估 | 高溫/迴焊後異常、壽命衰退 | 熱循環試驗前/後截面對照、熱分佈 / 應力相關結構分析 |
| 封裝後可靠度驗證（RA） | 車用/工控/消費電子產品壽命評估 | TC、HAST、HTS、温度迴焊、Drop Test、Power Cycling |
| 封裝設計/材料差異比對 | 新封裝導入或封裝轉單時風險確認 | 封裝前後結構對照、材料特性差異分析、設計支援建議 |
多元檢測技術於封裝與製程結構分析之應用
下圖展示不同檢測與量測技術於封裝與製程分析中的應用情境：(a) 以光學輪廓量測（OP）呈現表面高度與平整度分佈，用於評估結構翹曲與形貌差異；(b) 透過掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察表面微觀缺陷與結構細節；(c) 檢視柔性電路板（FPC）上金屬線路（Metal fingers）的成形狀況與一致性；(d) 進行光罩檢測（Photo mask inspection），確認圖形轉移與製程品質。透過多層次影像與量測結果交叉比對，可有效支援封裝結構與製程異常的判讀與分析。
(a) OP；(b) SEM；(c) Metal fingers formation on FPC ；(d) Photo mask inspection
常見問題
Q1. 封裝後晶片的電性為何會與封裝前不同？
A . 封裝過程中的熱負載、介面黏著性與佈線層應力會影響電性表現。
Q2. 封裝內部是否存在空洞或裂縫，如何確認？
A . 此類缺陷可能隱藏在封裝體內，需以非破壞性方式檢查。
Q3. 封裝後使用一段時間才出現失效，原因可能是什麼？
A . 多與熱循環、材料疲勞或界面弱化相關。
Q4. 封裝轉移（換封裝廠/改封裝材料）時如何降低風險？
A . 需比較封裝前後的界面、材料特性與電性差異。
Q5. 樣品量少時可以做封裝分析嗎？
A . 可以，封裝截面與非破壞檢查都可在少量樣品上完成。
