封裝內部缺陷定位
隨著先進封裝(2.5D/3D IC、Fan-Out、SiP)與高功率元件的普及,封裝內部結構日趨複雜,任何微小缺陷都可能導致電性異常或可靠度失效。透過非破壞性與高解析分析技術,可在不影響樣品完整性的前提下,精準定位封裝內部潛在缺陷位置。
常見可定位之缺陷類型包含封裝內部裂縫、分層(Delamination)、空洞(Void)、焊點異常、Die Attach 不良、Wire Bond 問題等。藉由多種影像與分析手法交叉驗證,能快速縮小失效範圍,作為後續切割、截面分析與根因判定的重要依據。
X-ray Photography Examples

Scanning Acoustic Microscope

- Package crack
- Delamination
- Die crack
- Void in resin
- Poor die attachment
- poor wire bonding
閎康專為精密零件與半導體封裝設計,結合了業界領先的成像速度與解析度,提供全方位的失效分析解決方案:
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極致成像表現: 具備 0.5 μm 超高解析度,精確捕捉微米級缺陷。
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高效檢測速度: 高達 1000 mm/sec 的掃描速度,大幅提升產線與實驗室的檢測效率。
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全方位掃描模式: 支援 A-scan、B-scan、C-scan、S-image 及 T-scan,滿足從點、線、面到斷面的深度分析需求。
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即時動態 3D: 提供 3D 成像與實時 3D 顯像技術,讓缺陷的位置與空間結構一目了然。
