CP 離子研磨
離子研磨（Ion Milling），亦稱為 Cross-Section Polishing（CP），是一種利用高能離子束轟擊樣品表面，以移除材料並形成平滑截面的樣品製備技術，在半導體材料分析與失效分析過程中，為了觀察晶片或封裝內部的微結構，例如多層金屬佈線、介電層、焊點結構或材料界面，通常需要將樣品製作成高品質截面。然而，若僅使用 機械切割或研磨，往往會因應力、塑性變形或材料拉扯而造成結構破壞，使得後續 掃描式電子顯微鏡（SEM） 的觀察品質受到影響。
離子研磨技術透過 高能氬離子束（Ar ion beam） 轟擊樣品表面，使材料逐層被移除，能夠製備出 低應力、低損傷且高度平滑的截面，因此廣泛應用於半導體、電子封裝、材料科學與光電元件分析。
離子研磨系統通常利用 電感耦合 RF 源或微波源 產生等離子體，在系統運作過程中：
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氬氣（Ar）被導入等離子腔體。
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高能電子與氬原子碰撞產生大量 正氬離子（Ar⁺）。
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電極系統將這些氬離子加速形成高能離子束。
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離子束轟擊樣品表面，使材料逐漸被移除。
透過精確控制 離子能量、入射角度與加工時間，可製備出平整且無機械損傷的截面，完成研磨後，再利用 光學顯微鏡（OM）或掃描式電子顯微鏡（SEM） 進行觀察與分析。
截面研磨（Cross-section Milling）
為了對樣品內部構造進行觀察與分析，必須讓樣品內部結構完整顯露。若僅使用切割與機械研磨，往往會因材料應力而產生變形或損傷，使 SEM 難以獲得理想影像，透過 離子束轟擊加工，可製備出低應力且高平整度的截面，使 SEM 能清楚觀察樣品內部結構。
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半導體多層金屬結構
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介電層厚度
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焊點界面
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材料界面缺陷
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異物或污染物
平面研磨（Flat Milling）
在 SEM 表面觀察與分析中，通常需要 大面積且平整的樣品表面，Flat milling 透過離子束均勻移除樣品表層材料，常用於 表面分析或機械研磨後的後處理製程。
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去除機械研磨造成的損傷層
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平整樣品表面
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提供更大觀察區域
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提升 SEM 影像品質
閎康科技具備完整的 離子研磨與電子顯微分析整合能力，可提供高品質樣品製備與精確材料分析。
- 高品質截面製備能力：可製備低應力、低損傷且高平整度的樣品截面。
- 適用多種材料系統：適用於半導體、PCB、封裝材料、LED 與金屬材料分析。
- 大面積樣品加工能力：可製備大面積觀察區域，適合結構分析與製程診斷。
- 跨技術整合分析能力：可結合 SEM、EDS、EBSD、FIB、TEM 等分析技術，提供完整材料分析解決方案。
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圖｜Ion Milling System ArBlade 4000
ArBlade 4000 離子研磨系統可提供穩定離子束加工能力，適用於半導體與電子材料的高品質截面製備。
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圖｜Ion Milling System ArBlade 5000
ArBlade 5000 離子研磨系統具備更高精度的離子束控制能力，可製備大面積且低損傷的樣品截面。
FFC 異常樣品分析
感光元件（CCD / CMOS）截面分析
LED 藍寶石基板材料分析
銅晶粒（Cu Grain）微結構觀察
