IC 拍照與產品結構解析
還原晶片設計，從「看見」到「理解」
透過層次去除技術（Delayer）逐層還原 IC 結構，搭配光學顯微鏡（OM）與電子顯微鏡（SEM）進行高解析影像擷取，並透過自動拼接與影像對位技術，建立完整的電路版圖與層間關聯，透過系統化還原，不僅能「看到」結構，更能「理解」設計思維與製程策略。
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多層金屬結構（M1～M6）與導線配置
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Poly / Active / Via 等關鍵結構
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層厚、材料分佈與製程特徵
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電路連接關係與設計邏輯
技術原理
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透過精準的去層次製程（Delayer），逐層移除金屬與介電層結構，避免過度蝕刻或損傷關鍵特徵
- 再透過高解析顯微影像（OM / SEM）進行連續拍攝與拼接，建立完整影像資料庫
- 最後透過電路重建與分析技術，將影像轉換為可解析的電路架構，協助客戶進行電路提取（Circuit Extraction），大幅縮短設計分析時間，並提升解析精度。
競爭產品分析的價值，不僅在於技術解析，更在於支援企業決策。透過完整的 IC 拍照與結構分析，閎康科技可協助客戶將分析結果直接轉化為研發策略與市場競爭優勢。
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評估新產品技術發展方向與可行性
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進行設計除錯與問題定位
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建立成本結構與製程評估模型
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分析競品設計差異與技術優勢
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支援專利條文解析與侵權風險評估
透過去層次技術，閎康科技可完整解析多層金屬結構與複晶矽層，並針對銅鑲嵌（Copper Damascene）製程進行細部觀察。此類分析可揭示製程設計規則、層間關係與材料選用策略，為製程優化與技術比較提供依據。
實際案例
Sony Xperia Z Ultra 逆向分析
以 Sony Xperia Z Ultra 為例，透過系統性拆解與分析，可完整掌握其核心架構與關鍵技術，透過此類 Benchmark 分析，客戶可快速掌握市場主流技術方向，並作為產品開發與技術佈局的重要參考。
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採用 Qualcomm Snapdragon 800 四核心處理器
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搭配 ELPIDA 2GB LPDDR3 記憶體（PoP 封裝）
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製程採用 28nm HKMG 技術
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強調高效能與低功耗設計
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（a）Die Mark：用於辨識晶片來源與製程資訊
（b）PMOS 結構：呈現電晶體通道與閘極設計特徵
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