OM 光學顯微鏡

光學顯微鏡利用 可見光（波長 400–700 nm） 進行照射，當光線與樣品表面互動產生反射或散射，就會形成不同的影像對比。然而，可見光的波長較長，因此 OM 的理論解析度（即兩點能被分辨之最小距離）僅約 0.2 μm，這也使 OM 的 最高有效放大倍率約為 1000X，OM 的功能不在「解析奈米細節」，而在「迅速取得完整的宏觀結構狀況」，是所有深入分析的起點。

• 雖然解析度不及電子顯微鏡（SEM/TEM），，但 OM 擁有顯著的優勢：
• 視野大：能快速掃描大面積區域，是判斷製程一致性與大範圍缺陷的最佳工具。
• 高速度：適合做量產監控、製程比對及失效定位。
• 高容忍度：適用於金屬層、矽片、封裝體、PCB、截面、Delayer 等多種樣品。
• 非破壞性：不需真空、不需金屬鍍膜，能在樣品原始狀態下快速進行觀察。

光學顯微鏡（OM）雖無法解析奈米尺度細節，但其 高視野、高速度、低破壞性與高容忍度 的特性，使其成為電子、半導體與材料領域最常使用、最具即時性價值的觀察方式。以下為 OM 在產業中最具代表性的分析用途與工程場景說明：

1. 截面結構觀察（Cross-section Analysis）

截面製備後透過 OM，可清楚觀察樣品的整體結構排列與界面行為，是封裝、PCB、模組與材料工程最常用的初步結構檢查方法。

2. IC 去層次（Delayer）結構確認

Delayer 分析（平面式去層次）是在不破壞晶片運作邏輯的前提下，逐層去除金屬與介電層以觀察內部電路結構，OM 是 IC 分層分析中最重要的初步觀察與流程監控工具。

3. Precipitate Free Zone（PFZ）分析

PFZ 是金屬材料（如鋁合金）在熱處理或應變後，於晶界附近出現的析出物空乏區，是金屬材料工程的重要參數，用於判斷熱處理影響與材料劣化。

4. 差排線、蝕刻異常與晶體缺陷觀察

OM 能迅速辨識晶體成長、熱處理或蝕刻製程造成的表面缺陷，是晶圓前段製程（FEOL）與材料研究的重要檢查項目。

5. 氧化疊差（Oxidation Induce Stacking Fault, OISF）研究

氧化疊差是在高溫氧化製程中，因雙晶缺陷或晶體缺陷擴散所產生的 stacking faults。OM 能清楚呈現氧化疊差的分布與擴散輪廓，是矽晶圓材料的重要品質指標，用於生長與氧化製程分析。

閎康科技配置多款 OM 光學顯微鏡，覆蓋從低倍率大視野觀察，到高倍率細微結構辨識的完整成像能力，可深入呈現材料結構、表面形貌與製程特徵，滿足半導體、封裝、材料工程等不同領域的觀察需求。