技術原理
展阻分析（Spreading Resistance Profiling, SRP）是半導體材料分析中常用的電性量測技術，
可量測接面深度（Junction Depth）、電阻率（Resistivity）及有效載子濃度（Carrier Concentration）的縱深分佈，廣泛應用於離子佈植與製程監控分析。
SRP 的量測原理是利用兩個微探針接觸樣品表面並施加微小電壓，量測探針之間的電阻值，並透過計算轉換得到材料的電阻率與載子濃度分佈。
在分析前，試片會先固定於具有微小傾斜角度的基座上，並使用鑽石研磨膏（Diamond Paste）進行精密研磨，使半導體接面逐漸暴露形成斜切面。
隨著探針沿著研磨表面逐點量測，即可得到材料深度方向的電阻率與載子濃度分佈，進而分析半導體元件的接面特性。
SRP常與SIMS等材料分析技術搭配使用，以同時取得元素濃度與電性分佈資訊。
分析應用
製程監控分析
可應用於離子佈植與退火製程的電性特性監控與製程優化。
深接面濃度分佈分析
快速取得深接面結構中的載子濃度分佈。
接面深度分析
精確量測半導體元件的P-N接面深度（Junction Depth）。
有效載子濃度縱深分析
量測半導體材料中有效載子濃度（Carrier Concentration）隨深度的分佈情形。
機台種類
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SRP 量測原理示意圖
半導體試片經過精密研磨形成斜切面（Bevel Surface），使 P-N 接面（PN Junction） 能夠沿表面方向展開。兩個微探針接觸研磨表面並施加微小電壓，量測探針間的電阻值，藉由電阻訊號可計算出材料的電阻率與載子濃度分佈。 -
SSM 2000
展阻分析儀透過高精度探針系統與量測控制軟體，可對研磨表面進行逐點量測，建立半導體材料的接面深度（Junction Depth）、電阻率（Resistivity）與有效載子濃度（Carrier Concentration）之縱深分佈。 -
SSM 2100
展阻分析儀透過高精度探針系統與量測控制軟體，可對研磨表面進行逐點量測，建立半導體材料的接面深度（Junction Depth）、電阻率（Resistivity）與有效載子濃度（Carrier Concentration）之縱深分佈。
應用實例
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SRP 樣品研磨面
半導體試片經研磨形成斜切面（Bevel Surface），使元件結構與材料接面沿著表面展開。透過展阻分析儀的微探針沿研磨表面逐點量測電阻值，可取得材料不同深度位置的電性資訊。 -
SRP 量測結果曲線
量測得到的電阻訊號經計算後，可轉換為材料的電阻率（Resistivity）、電阻值（Resistance）及有效載子濃度（Carrier Concentration）分佈。
藉由分析曲線變化，可判斷半導體材料的摻雜濃度分佈與P-N接面深度（Junction Depth），常用於離子佈植製程與製程監控分析。。
SRP 載子濃度與電阻率縱深分佈
此圖為 展阻分析（Spreading Resistance Profiling, SRP）量測結果示意。
橫軸為材料深度（Depth），縱軸為量測與計算得到的電性參數，包括：
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Carrier Density（載子濃度）
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Resistance（電阻值）
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Resistivity（電阻率）
圖中可清楚辨識出 P區、N型外延層（N EPI）與P型基板（P Substrate） 的結構差異，並可由曲線變化判斷 P-N接面位置與接面深度。
此分析技術常用於：
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半導體 摻雜濃度分佈分析
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接面深度（Junction Depth）量測
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外延層（EPI）品質分析
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離子佈植與退火製程監控
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