化學蝕刻去封膠
化學蝕刻去封膠（Chemical Decapsulation）是一種常用於 半導體元件失效分析（Failure Analysis, FA） 的樣品製備技術，其主要目的為去除 IC 封裝中的 環氧樹脂（Epoxy molding compound），使晶粒（Die）與內部金線（Bond wire）結構裸露，以便進行後續顯微分析，通常使用特定的 化學酸溶液（如硝酸或硫酸混合溶液），透過控制溫度、時間與酸濃度，使封裝材料逐步被蝕刻溶解，而 晶粒、金線與焊墊（Bond pad）結構則能被完整保留，與機械式去封裝方法相比，化學蝕刻去封膠具有以下優點，因此化學去封膠技術廣泛應用於 IC 失效分析、逆向工程與封裝品質檢測。
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可避免機械加工造成晶粒損傷
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適合多層封裝與複雜封裝結構
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可完整保留晶粒與金線結構
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有利於後續顯微觀察與失效分析
閎康科技具備完整的 IC 去封裝與失效分析技術平台，能依據不同封裝材料與分析需求，選擇最適合的去封裝方法。透過化學去封膠與精密顯微分析技術的整合，可有效裸露晶粒與內部結構，並進行後續的 OM、SEM、FIB、TEM 等分析流程，憑藉多年半導體材料分析經驗與先進設備，閎康科技可提供高品質的 IC 失效分析、封裝結構檢測與電路逆向工程服務，協助客戶快速定位問題並提升產品可靠度。
化學去封膠設備
- 自動化去封裝系統，可控制酸液溫度與蝕刻時間，提高去封膠製程穩定度。
- 化學酸槽（Acid bath），用於進行封裝樹脂的化學蝕刻。
- 超音波震盪器，可加速蝕刻後殘留物的清除並提升去封裝效率。
完成化學去封膠後，晶粒與內部電路結構會被完整裸露，可進一步利用各種顯微分析技術進行觀察與檢測，例如：光學顯微鏡（OM）、掃描式電子顯微鏡（SEM）、失效分析（FA）、IC 逆向工程（Reverse Engineering）。
光學顯微鏡觀察（OM Imaging）
利用光學顯微鏡觀察去封膠後的晶粒表面，可辨識 IC 各層金屬互連結構（Metal layer），並進行初步的電路結構檢查與缺陷判讀。
掃描式電子顯微鏡觀察（SEM Imaging）
利用掃描式電子顯微鏡（SEM）可進一步觀察晶粒表面微細結構，包括金屬導線、接點與電路佈局，提供高解析度影像以協助進行半導體失效分析與逆向工程
在失效分析（Failure Analysis）與逆向工程（Reverse Engineering）中，去除 IC 封裝樹脂以裸露晶粒是重要的樣品製備步驟，目前常見的去封裝方式主要包括 化學蝕刻去封膠（Chemical Decap）與雷射去封膠（Laser Decap）兩種技術。
兩種方法各有其適用情境與技術優勢，化學蝕刻適合 完整保留晶粒與金線結構的分析需求，而雷射去封膠則適用於 快速去除封裝或局部開封的情況，因此在實際失效分析流程中，工程師通常會依據 封裝材料、分析區域與元件結構來選擇最適合的去封裝方式。
在實際分析流程中，化學去封膠與雷射去封膠往往會 互相搭配使用，例如先利用 雷射開封快速移除部分封裝材料，再利用 化學蝕刻進一步清除殘餘樹脂，透過這種整合方式，可以同時兼顧 加工效率與晶粒保護，提高失效分析與電路檢測的成功率。
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化學去封膠的優勢
完整保留晶粒與內部結構
化學蝕刻去封膠最大的優勢在於可 均勻去除封裝材料且不易損傷晶粒與金線結構，完整保留晶粒與內部結構，透過精準控制酸液溫度、濃度與蝕刻時間，可逐步移除封裝樹脂，使晶粒結構完整裸露，適合以下分析需求：
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半導體 失效分析（FA）
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Bond wire 結構檢查
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晶粒表面缺陷觀察
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IC 電路逆向工程
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雷射去封膠的優勢
快速且精準的局部去封裝
雷射去封膠利用高能雷射束局部燒蝕封裝材料，可在短時間內快速且精準的完成封裝去除，適合 需要快速開封或局部觀察的情境。
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加工速度快
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可精準控制開封區域
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適合局部結構觀察
但雷射加工過程中會產生熱效應，若控制不當可能對晶粒或金線造成損傷，因此在高精度分析中仍需搭配其他去封裝方法。
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| 技術 | 化學去封膠 | 雷射去封膠 |
|---|---|---|
| 原理 | 利用酸性溶液溶解封裝樹脂 | 利用雷射能量燒蝕封裝材料 |
| 加工方式 | 化學蝕刻 | 雷射熱加工 |
| 去除範圍 | 大面積封裝去除 | 局部精準開封 |
| 製程時間 | 較長 | 較快 |
| 製程時間 | 低風險 | 需控制熱影響 |
| 適合應用 | 失效分析、電路觀察 | 局部開封、快速分析 |
