SEM-based Nano-probing
在高效能運算（HPC）與 AI 晶片快速發展下，半導體製程正式進入後摩爾時代。製程節點已由 7nm 進入 5nm，並朝向 3nm 與 2nm 推進；元件結構亦從平面式 MOSFET 演進為 FinFET 與 GAA（Gate-All-Around） 等三維結構。
在此奈米尺度下，傳統 AFM-based nano-probing 已難以滿足高解析定位與穩定電性量測需求，SEM-based Nano-probing（掃描式電子顯微鏡奈米探針技術） 成為先進製程單一元件量測與失效分析的核心工具。
SEM-based Nano-probing 可於 SEM 真空環境下，以 低加速電壓（Low kV）電子束 搭配奈米探針進行，已成功應用於 5nm FinFET 製程節點。
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高解析度形貌觀察
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單一電晶體 I-V / C-V 量測
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漏電與短路定位
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RC 延遲分析
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EBIC / EBAC / EBIRCH 失效判讀
SEM-based Nano-probing 是將 掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope, SEM） 與奈米級機械探針系統整合於同一真空環境中，使工程師能在高解析度成像條件下，同步進行單一電晶體電性量測與缺陷定位。
在 SEM 平台上，除基本電性量測外，亦可進行電子束誘發分析。當電子束撞擊樣品時所產生的電子電洞對，可形成可量測電流訊號，進而定位閘極氧化層崩潰、接面漏電或金屬開路與短路等缺陷。透過 EBIC、EBAC 與 EBIRCH 技術交叉比對，可將不同類型失效加以區分，提升判讀準確度。
在 5nm 以下先進製程中，單一技術已無法完整判斷失效根因。閎康科技以「跨技術整合」為核心優勢，將 SEM-based Nano-probing 納入完整失效分析流程中，而非單點式量測。
閎康科技將 SEM-based Nano-probing 納入完整失效分析流程中，而非單一量測技術。當奈米探針定位出可疑區域後，可無縫銜接 AFM-based Nano-probing、C-AFM、OBIRCH、Thermal EMMI、FIB 精準製樣與 TEM 結構驗證，形成 Electrical FA 與 Physical FA 的整合平台。
在 5nm 及以下節點，單一技術已難以解決複雜失效問題。透過跨技術交叉驗證與專業判讀經驗，閎康科技能有效縮短定位時間，提高根因判定成功率，並降低重工與誤判風險。
nProber IV 第四代 SEM-based NanoProber 系統整合高解析 SEM 與奈米探針量測平台，可於真空環境下進行單一電晶體電性量測與精準失效定位，是先進製程奈米電性分析的核心設備。
