SCM 掃描式電容顯微鏡

掃描式電容顯微鏡（Scanning Capacitance Microscopy, SCM）是一種基於掃描探針顯微鏡（SPM）的半導體分析技術，

可用於觀察材料中二維掺雜分布（2D Doping Distribution），並可清楚區分 N 型與 P 型區域。

在量測過程中，於金屬鍍膜探針與樣品之間施加交流電壓（AC bias），量測電容變化訊號 dC/dV，並將訊號轉換為材料的掺雜分布影像。

藉由此方式，可取得半導體結構中的P-N 接面位置與掺雜分布情形。

由於SCM建立於掃描探針顯微鏡架構，其平面解析度可達約 100 nm 以上，適合分析奈米尺度的半導體元件結構。

相較於其他分析技術：

• SIMS 與 SRP 僅能提供一維的掺雜縱深分布

• SEM 搭配化學蝕刻染色較難精確控制蝕刻條件

SCM則可提供高解析度的二維掺雜影像，因此在製程分析、失效分析與逆向工程中具有重要價值。

 

掃描式電容顯微鏡主要應用於二為載子濃度影像的觀察與分析

掃描式電容顯微鏡建立於掃描探針顯微鏡的架構上，因此其平面解析度可達 100 奈米以上，

分析時加 AC 電壓於金屬鍍膜探針上，量測 dC/dV 訊號轉換為二維掺雜分布，可分辨出N型與P型區域及其界面。