LED 晶片結構與材料分析

LED 元件的發光效率與電性特性，與其磊晶結構與材料組成密切相關。特別是在藍光 LED 中，多重量子井（MQW, Multi-Quantum Well）與超晶格（Superlattice）結構的元素分佈與濃度變化，將直接影響發光效率、波長特性與元件可靠度。因此，透過高解析度的材料分析技術，深入了解 LED 磊晶層的材料組成與深度分佈，對於製程開發與品質控制具有重要意義。

閎康科技透過穿透式電子顯微鏡（TEM）、能量散射 X 光分析（EDX）以及二次離子質譜儀（SIMS）等材料分析技術，能夠精確解析 LED 磊晶結構中的元素分佈與深度濃度變化，協助客戶評估材料品質並優化製程條件。

TEM / EDX 元素分佈分析

利用穿透式電子顯微鏡（TEM）搭配能量散射 X 光分析（EDX），可對 LED 磊晶層進行奈米尺度的元素分佈分析。透過 EDX Line Profile 技術，可量測 In、Al、Ga、N 等元素在晶體結構中的濃度變化，並觀察多重量子井（MQW）與超晶格結構的週期性分佈。

此類分析技術能有效辨識材料界面、組成變化與晶體缺陷，並可在超晶格結構中達到約 0.2 at% 的元素鑑定極限，為 LED 材料品質與磊晶結構研究提供重要依據。

TEM / EDX Line Profile 分析藍光 LED 多重量子井（MQW）與超晶格結構中的元素分佈

SIMS 深度剖面分析

二次離子質譜儀（SIMS）是一種高靈敏度的材料分析技術，可量測樣品中不同元素隨深度變化的濃度分佈。透過 SIMS 深度剖面分析，可完整解析 LED 磊晶層中各元素的摻雜分佈與材料結構，並評估磊晶製程的均勻性與品質。

SIMS 技術具有極高的檢測靈敏度與深度解析能力，可有效辨識材料界面與摻雜濃度變化，是 LED 材料分析與磊晶研究的重要工具。

SIMS 深度剖面分析顯示 LED 磊晶層中不同元素隨深度的濃度變化