TFT-LCD 液晶顯示器產業
隨著顯示技術持續朝 高解析度、低功耗、薄型化與高可靠度 發展，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）面板在電視、筆記型電腦、工業顯示器、車用顯示與醫療設備等應用領域中仍扮演關鍵角色。從 玻璃基板、TFT 陣列製程、彩色濾光片、偏光片到模組封裝，每一個製程環節都可能因材料缺陷、製程污染或微結構異常而影響顯示品質與產品良率。
在 TFT-LCD 產業中，常見的問題包含 亮暗點、線缺陷、Mura（亮度不均）、材料污染、金屬擴散、薄膜厚度異常與界面剝離 等。這些問題往往需要透過 材料分析、表面分析與故障分析技術的整合，才能精準定位缺陷來源並釐清失效機制。
閎康科技結合 材料分析（MA）、表面分析（SA）與故障分析（FA），提供完整的 TFT-LCD 檢測與分析解決方案。透過光學顯微鏡（OM）、掃描式電子顯微鏡（SEM）、能量散射光譜（EDS）、聚焦離子束（FIB）、X-ray、表面輪廓量測與各類化學分析等技術，可深入解析 面板結構、薄膜材料組成與微觀缺陷分布，協助客戶快速定位製程異常並提升產品可靠度與量產良率。
TFT-LCD 製程缺陷分析案例
在 TFT-LCD 顯示面板製程中，薄膜沉積、蝕刻、光罩對位與材料品質等因素，都可能影響 TFT 結構完整性與元件電性表現。透過材料分析與高解析結構觀察技術，可針對製程缺陷進行精準定位與失效機制判定。以下為 TFT-LCD 製程中常見的分析案例。
1.顆粒污染導致暗點
在 TFT-LCD 製程中，若製程環境或材料表面存在微粒污染，可能造成 TFT 元件局部結構異常，進而影響像素電路的正常運作，導致顯示面板出現暗點缺陷。
透過 光學顯微鏡（OM）平面觀察 可快速定位缺陷區域，再利用 截面掃描式電子顯微鏡（Cross-section SEM） 進行結構分析，可進一步確認顆粒污染對金屬層或介電層的影響，並判定缺陷形成原因。
2.源極／汲極金屬蝕刻殘留
在 TFT 元件製程中，Source/Drain 金屬蝕刻若未完全去除材料，可能在元件結構中留下金屬殘留物。這些殘留物可能造成：
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電性漏電
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短路風險
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元件可靠度下降
透過 光學顯微鏡（OM） 可觀察表面異常，再利用 截面穿透式電子顯微鏡（TEM） 進行高解析結構分析，可清楚辨識金屬殘留位置與形貌，進一步釐清蝕刻製程異常原因。
3.非晶矽層側壁角度分析
TFT-LCD 中的 非晶矽（a-Si）薄膜結構 是影響元件電性的重要關鍵。當 n⁺-aSi 與 intrinsic a-Si 層之間的側壁角度或形貌控制不佳時，可能影響：
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元件通道特性
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電流傳輸效率
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元件穩定度
透過 截面 TEM 分析 可清楚觀察非晶矽層的結構輪廓與界面形貌，並評估薄膜沉積與蝕刻製程是否符合設計要求。
