矽光子分析測試服務

矽光子（Silicon Photonics, SiPh）是一項以矽材料及半導體製程為基礎，將光訊號的傳輸、調製、耦合、分波與偵測等功能整合於晶片上的技術。其主要元件包括光波導、光耦合器、分光器、光調變器及光偵測器等；其中，光波導如同電子積體電路中的金屬導線，負責引導光訊號在各元件之間傳輸，當多種光學元件整合於同一晶片上，便形成光子積體電路（PIC, Photonic Integrated Circuit），作為矽光子系統進行光訊號傳輸與光電轉換的重要核心。

隨著人工智慧、高效能運算及資料中心的資料傳輸需求快速成長，傳統電連結逐漸面臨頻寬、傳輸延遲、功耗與發熱等瓶頸。矽光子透過光連結輔助或部分取代電連結，有助於提升資料傳輸速度與頻寬，同時降低互連產生的能耗與熱量。此外，矽光子具備高整合度、小型化、可與既有 CMOS 半導體製程相容及大規模製造等優勢，因此已成為高速光通訊、晶片間光連結及共同封裝光學（CPO）的關鍵技術。

矽光子 PIC 分析與 IL 量測服務

閎康提供矽光子（Silicon Photonics, SiPh）晶圓及晶片層級的 PIC 分析與光電測試服務，涵蓋 PIC 晶圓級測試、光波導插入損耗（IL）量測、光纖與晶片耦合測試、主動光電元件測試、NIR 光損定位、OFA 光學失效分析及材料失效根因分析，協助客戶掌握矽光子元件的光學響應、訊號損耗、缺陷位置與製程異常。

PIC 分析與矽光子晶圓級光電測試

透過自動化溫控探針台進行 PIC 晶圓級光電測試，包含光輸入/光輸出（Optical-to-Optical, O-O）傳輸測試、波長掃描（Wavelength Scan）及不同溫度條件下的元件特性分析，掌握矽光子晶圓與晶片的光學響應、傳輸效能及溫度變化特性。

光波導插入損耗（IL）、偏振相關損耗（Polarization Dependent Loss, PDL）與回波損耗（RL）測試

提供光波導插入損耗量測（Insertion Loss, IL）、偏振相關損耗量測（Polarization Dependent Loss, PDL）及回波損耗量測（Return Loss, RL），分析光訊號通過耦合結構、光波導或光學元件後的功率衰減、不同偏振狀態下的損耗差異及反射情形，協助評估光訊號傳輸品質、元件效能及製程穩定性。

NIR 光損分析、漏光缺陷與波導異常定位

運用全波段近紅外光學影像分析（Near-Infrared Imaging, NIR Imaging），在不破壞元件的情況下進行光損分析、漏光缺陷定位及光波導異常分析，快速辨識局部漏光、異常衰減與光訊號傳輸路徑中的缺陷位置。

光纖與 PIC 晶片耦合測試

支援光柵耦合器（Grating Coupler, GC）測試、邊緣耦合器（Edge Coupler, EC）測試及耦合效率量測，協助評估光纖與 PIC 晶片之間的光訊號轉移效率、耦合損耗與對準品質。

E-O／O-E 主動光電元件測試

針對光調變器（Modulator）進行 E-O 電光轉換測試，並針對光偵測器（Photodetector）進行 O-E 光電轉換測試，分析主動光電元件的靜態與動態特性，包括眼圖（Eye Diagram）與誤碼率（BER, Bit Error Rate）測試，評估高速數位通訊與訊號完整性（Signal Integrity）時最核心的指標，掌握元件的光電轉換效能及高速訊號傳輸表現。

矽光子 OFA 光學失效分析

提供矽光子光學失效分析（Optical Failure Analysis, OFA），由光訊號異常、光功率衰減或漏光位置出發，結合光電量測與 NIR 光學影像分析，快速縮小 PIC 元件的失效範圍，提升後續缺陷定位與根因分析效率。

PIC 材料失效與製程根因分析

運用 SEM（掃描式電子顯微鏡）、FIB（聚焦離子束顯微鏡）、TEM（穿透式電子顯微鏡）、STEM（掃描穿透式電子顯微鏡）、SIMS（二次離子質譜儀）及 SCM（掃描式電容顯微鏡）等分析技術，觀察光波導側壁粗糙度、材料介面、摻雜濃度與深度分布及微結構缺陷，追溯影響 PIC 元件效能、製程穩定性與產品良率的失效根因。

閎康矽光子分析檢測平台可針對晶圓及晶片層級的 PIC，提供自動化、高重複性的光電特性量測與失效分析服務，檢測範圍涵蓋光纖與晶片耦合介面、光波導、光調變器及光偵測器等主被動元件，其中光導插入損耗（Insertion Loss, IL）測試可量測光訊號由輸入端通過耦合結構、光波導或光學元件後的功率衰減，協助評估光耦合效率、訊號傳輸品質及製程穩定性。