在 LED 元件的研發與量產過程中，若產品出現亮度衰退、電性異常或提前失效等問題，往往需要透過系統化的失效分析流程，找出真正的問題來源。LED 失效可能來自晶片結構缺陷、封裝製程異常、材料劣化或靜電損傷等因素，因此需結合多種電性量測與定位技術，才能精準判讀失效機制。
透過光子放射或電性定位技術，可快速鎖定 LED 元件中的異常區域，協助分析短路、漏電或製程缺陷位置，並作為後續結構分析與失效判讀的重要依據。
EMMI/InGaAs,OBIRCH 缺陷偵測定位
EMMI/InGaAs,OBIRCH 於故障分析應用
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