IC 壽命試驗與早夭失效率評估

壽命試驗的準確度與可靠性高度依賴老化板的設計與製作品質，老化板必須同時兼顧訊號完整性、散熱能力、操作頻率、阻抗匹配與元件在高溫條件下的穩定性，因此其製作遠比一般測試治具更為複雜，閎康可靠度實驗室依客戶產品特性與測試條件，提供完整的設計與製作服務。

對於標準封裝或一般測試情境，可選用萬用板（Universal Board）搭配轉板以控制成本；若元件具特殊頻率、驅動方式或高功率需求，亦可提供專用客製化 Burn-in Board，以確保元件在高溫、偏壓與動態訊號條件下具備最佳運作穩定性。

老化板設計項目涵蓋：元件布局、訊號路徑設計、阻抗匹配策略、散熱結構規劃、高溫材料選用、Socket 評估與治具能量分布檢核，確保壽命測試過程中的穩定與再現性。

壽命推估多以溫度為主要加速因子，並以 Arrhenius Model 的指數方程式作為計算基礎。透過設定適當的活化能（Activation Energy），可由加速試驗結果回推元件在實際使用溫度下的壽命，常用的壽命指標包括 FIT（Failure In Time）與 MTTF（Mean Time To Failure），可反映在高信心水準下的預期壽命，然而 FIT／MTTF 參數往往難以讓使用者直觀理解實際風險，因此產業中亦常使用「任務型壽命（Mission Profile）」方式，例如以車用電子的 10 年使用需求時間為基準，利用加速因子逆推所需的壽命測試時間，這種方式更能反映元件在真實應用中的壽命需求。

閎康科技透過壽命模型、加速因子驗證、失效機制比對與材料行為分析，可針對車用、伺服系統、工控設備、通訊產品與消費性電子提供完整的壽命預估服務。

表1 元件老化測試機台規格

隨著生成式 AI、HPC 與大型資料中心快速發展，AI 晶片的單顆功耗已突破傳統設計極限，邁向 800 W 甚至 1000 W 級高功率運作。在如此高電流、高熱密度的條件下，晶片的長期穩定性與可靠度，已成為影響系統效能、稼動率與營運成本的關鍵因素。

晶片高功率壽命試驗，即是針對 AI 處理器、加速器晶片及其封裝結構，在極高功耗運作條件下進行長時間驗證，以確保其在實際資料中心與運算應用中，仍能維持穩定、安全且可預期的表現。

為了因應次世代高功率應用需求所開發，提供穩定、可長時間運轉的高功率通電測試能力，協助客戶全面驗證產品在極端功耗條件下的可靠度與耐久性，特別引進超高功率壽命試驗設備MCC HPB6 (1000W)與Incal Sonoma(800W)，設備能力如下圖所示：

圖: 超高功率壽命試驗設備能力

閎康科技於台灣與上海均設有壽命試驗專屬實驗室，由具備半導體製程工學背景與多年可靠度經驗之工程團隊負責操作與分析，設備涵蓋多槽式老化爐、控溫 Burn-in 系統、各類 Socket 應用平台、複雜邏輯動態訊號模擬裝置，以及可支援長時間、高密度、多通道之 OLT／ELFR 並行執行之系統，以堅實的製程背景與完整的可靠度平台，提供：

• 老化板設計製作

• 高溫老化與加速壽命試驗

• 早夭失效率分析

• 電性參數前後比對

• 壽命推估與使用風險評估

• 車用電子任務型壽命模型

• 完整報告與故障機制判讀