Junction & Doping Profile Analysis
接面與摻雜分析
PN 接面深度與摻雜濃度分布會直接影響太陽能電池轉換效率與電性表現，透過深度分析技術可優化製程條件。
分析項目
- Junction depth 量測
- 摻雜濃度輪廓分析
- 擴散層深度量測
- 超淺結分析
- 摻雜均勻性評估
SIMS 應用
- 超淺結分析
- 非常薄的層（十埃）分析
- 摻雜輪廓/深度輪廓
- 背面銅擴散
- 污染驗證
- 出色的檢測限（ppm到ppb）
- 可以檢測所有元素和同位素，包括H
- 極好的深度分辨率，可能達到1nm
- 通過標準參考定量
- 絕緣子可以測量
-
(a)超淺結 -
(b)高深度分辨率
矽太陽能電池的SIMS分析
