C-AFM（Conductive Atomic Force Microscopy）導電原子力顯微鏡是以原子力顯微鏡為基礎，結合導電探針與偏壓施加機制，實現表面形貌與局部電流訊號同步量測的高解析電性分析技術。

AFM 奈米探針電性量測技術 是以高空間解析度的原子力顯微鏡（AFM）為基礎，結合多針奈米電性探測系統，在奈米尺度下直接對單一電晶體進行電性量測與失效定位的非破壞性分析技術。

SEM-based Nano-probing 可於 SEM 真空環境下，以 低加速電壓（Low kV）電子束 搭配奈米探針進行，已成功應用於 5nm FinFET 製程節點。

Thermal EMMI 是透過偵測通電狀態下元件所產生之微小熱輻射，進行缺陷定位的高靈敏度失效分析技術。

IR-OBIRCH 是透過紅外雷射掃描 IC 表面（或背面），藉由局部加溫引發電阻變化，進而偵測異常導通或漏電位置的非破壞性失效分析技術。

EBAC 電子束吸收電流技術 是掃描式電子顯微鏡（SEM）故障分析中重要的電性定位工具之一，特別適用於分析金屬互連結構中的導通問題。

EBIC（Electron Beam Induced Current）電子束誘發電流分析技術 是 SEM 失效分析（SEM Failure Analysis）中重要的電性定位方法之一。

3D OM 光學顯微鏡是利用光學干涉、焦平面堆疊或白光干涉等原理，能在非破壞情況下取得樣品的 立體高度資訊（Z 軸），並同步呈現 高解析度 2D × 3D 結構影像。

光學顯微鏡是利用可見光對樣品表面進行照射，透過反射、散射與光學對比差異，快速揭露元件、材料與結構的宏觀形貌，提供後續分析的重要基準點。

3D X-ray（High Resolution 3D X-ray Microscope）透過樣品旋轉取得多角度影像，並利用電腦重建三維結構，使工程師能從不同角度觀察內部缺陷，甚至進行虛擬切片分析。

2D X-ray  是在不破壞樣品的情況，藉由高能量撞擊金屬靶材激發出的x-ray具有穿透特性，借此成像特性以觀察及判斷先進封裝內部是否存在空焊、HIP or Hop 等現象。

掃描電子顯微鏡，或稱掃描式電子顯微鏡，是利用高能電子束掃描樣品表面，並藉由電子與材料相互作用所產生之訊號來形成影像的高解析顯微分析技術。

雙束電漿聚焦離子束（Dual Beam Plasma FIB, DP-FIB）是結合電漿離子束與掃描電子顯微鏡（SEM）的高效能材料加工與分析設備。

電子背向散射繞射（Electron Backscatter Diffraction, EBSD）是一種利用電子繞射訊號來解析材料晶體結構與晶粒取向的重要顯微分析技術。

二次離子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）是一種高靈敏度的材料分析技術，廣泛應用於半導體製程分析、材料研究、元素分佈量測與微量污染分析。

X光光電子能譜儀（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）是一種高靈敏度的表面分析技術，可用於量測材料表面的元素組成與化學鍵結狀態。

X射線螢光分析（X-ray Fluorescence, XRF）是一種非破壞性的元素分析技術。

歐傑電子能譜分析（Auger Electron Spectroscopy, AES）是一種高解析度的表面元素分析技術，可用於分析材料表面極薄層的元素組成與化學狀態。

傅立葉轉換紅外光譜儀（Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR）是一種利用紅外光吸收特性進行材料有機成分分析的光譜技術。

原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope, AFM）是一種高解析度的掃描探針顯微鏡技術，可用於量測材料表面的奈米尺度形貌與結構特徵。

薄膜厚度輪廓測量儀（α-Step）是一種利用機械式探針掃描進行表面輪廓量測的精密儀器。系統以鑽石製作的尖端探針（Stylus）在樣品表面進行線性掃描。

展阻分析儀（SRP）是半導體材料分析中常用的電性量測技術，可量測接面深度、電阻率及有效載子濃度的縱深分佈，廣泛應用於離子佈植與製程監控分析。

掃描式電容顯微鏡（SCM）是一種基於掃描探針顯微鏡（SPM）的半導體分析技術，可用於觀察材料中二維掺雜分布（2D Doping Distribution），並可清楚區分 N 型與 P 型區域。

化學質譜分析（Mass Spectrometry, MS）是一種高靈敏度的分析技術，廣泛應用於材料分析、半導體分析、環境監測、生物醫學研究、食品檢測與化學研究等領域。

感應耦合電漿質譜分析儀（ICP-MS）是一種高靈敏度的元素分析技術，主要用於測定樣品中的微量元素與同位素組成。

LC-MS/MS  為液相層析儀 (LC) 與 質譜儀 (MS) 串聯的分析技術，結合了液相層析的高效分離能力與質譜的高靈敏度質量分析能力。

乾式蝕刻及研磨去層次（Delayer）是透過 離子乾蝕刻、化學蝕刻或機械研磨 等方式，將積體電路（IC）內部的金屬層與介電層逐層移除。

雷射蝕刻去封膠（Laser Decapsulation）是非接觸式製程，常用於 失效分析（Failure Analysis, FA） 的樣品製備技術。

化學蝕刻去封膠（Chemical Decapsulation）是一種常用於 半導體元件失效分析（Failure Analysis, FA） 的樣品製備技術。

雷射植球技術（Laser re-balling） 是透過非接觸式雷射加熱與單顆植球控制，可在微小區域內精準完成錫球接合，大幅降低熱影響與機械應力，成為先進封裝與分析應用的重要解決方案。

在半導體封裝與電子產品開發過程中，當元件發生異常、需進行替換或進一步分析時，Rework（返修）技術即成為不可或缺的關鍵製程。

打線接合（Wire Bonding） 是將晶粒（Die）與外部電路或封裝接腳建立電性連接的重要技術。

離子研磨（Ion Milling），亦稱為 Cross-Section Polishing（CP），是一種利用高能離子束轟擊樣品表面，以移除材料並形成平滑截面的樣品製備技術。

FIB 是利用金屬鎵 (Ga, 原子序31) 作為離子源，利用加在 Extractor 的負電場將鎵原子由針尖端牽引出，形成鎵離子束，透過電透鏡聚焦，經過一連串變化孔徑可決定離子束的大小，最後離子束再經過第二次聚焦至試片表面。

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