3D IC封裝：異質接合技術發展及以臨場升溫原子力顯微鏡輔助製程設計
在 AI 與高效能運算推動下，3D IC 封裝成為晶片效能關鍵。透過臨場升溫原子力顯微鏡（in-situ AFM）觀測銅／SiO₂ 鑲嵌栓孔熱膨脹行為，研究發現奈米晶銅可提升膨脹量逾100%，大幅強化製程視窗與封裝可靠度。
氮化鎵晶片之靜電放電防護技術介紹
氮化鎵（GaN）元件在電動車、電源轉換、低軌衛星與高頻通訊等應用領域的快速普及，其高效能與高功率特性備受矚目。然而，在這些高應力、高可靠性需求的應用環境中，如何強化靜電放電（ESD）防護能力，已成為確保 GaN 晶片穩定運作的關鍵技術課題。
銅混合接合技術的創新突破：三維積體電路與先進封裝的關鍵技術
3D IC技術的發展如同堆疊「樂高積木」，將具備不同功能的晶片垂直整合，不僅節省空間，更顯著提升整體系統效能，為突破摩爾定律帶來新可能！然而，要讓這些「積木」晶片間能精準對位、穩定通訊、有效散熱、不易短路或老化，關鍵就在於「怎麼接起來」。
矽光子技術促進先進高效能計算
面對 AI 與 HPC 系統的巨量運算需求，矽光子技術（silicon photonics）如何透過光連結技術提升資料中心與晶片間傳輸速率、降低功耗，為下一代高效能運算架構提供關鍵路徑。
次世代儲能技術：先進鋰硫電池
鋰硫電池（Li-S Battery） 被視為下一代電池技術的重要突破，隨著鋰離子電池逐漸接近技術極限，鋰硫電池憑藉「高能量密度、低成本、環保輕量」等優勢，在電動車、航太與無人機、或是需大規模儲能的智慧電網等領域展現了強大的應用潛力，正迅速成為全球研發焦點！
二維半導體的新戰場：硒氧化鉍電晶體
隨著矽基電晶體微縮逼近物理極限，二維半導體材料如硒氧化鉍因其高載流子遷移率、原生氧化層優勢與大面積成長潛力，正成為後矽世代電晶體的新候選。
掃描式電子顯微鏡分析技術的發展 - 以寬能隙半導體的外延缺陷分析為例
本文的討論主要聚焦於具有六方結構的幾種寬能隙半導體，如氮化鎵（GaN,Eg=3.4 eV）、氮化鋁（AlN, Eg=6.2 eV）、氧化鋅（ZnO, Eg=3.3 eV）和碳化矽（4HSiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）。這些寬能隙半導體，特別是氮化鎵、氮化鋁和氧化鋅，已經廣泛應用於表面聲波元件、紫外光與藍光的偵測器、發光二極體和雷射二極體。
二次離子質譜儀(SIMS)於積體電路工藝質量監控的分析應用
頂尖的半導體應用晶片除了需要優異的IC電路設計外, 更需要完美的奈米元件結構搭配以新世代或先進的半導體工藝技術, 以達到晶片最佳的效能表現。
