TGV 玻璃基板 與 錫球孔洞 怎麼檢測？ 解析孔洞面積、體積與孔隙率
外觀完整的 TGV 或錫球，不一定能反映內部填充狀況；即使已在 X-ray 影像中看見孔洞，仍需要進一步回答：孔洞占多少？集中在哪個位置？不同通孔或錫球之間，是否存在明顯差異？
共同封裝光學（CPO）良率關鍵：拆解矽光子主被動元件的四大測試指標
矽光子如果無法在晶圓階段就篩選出不良品，一旦進入高成本的 CPO 封裝階段才發現元件失效，將造成巨大的材料與成本浪費，本文將深入拆解如何透過先進的一站式自動化量測平台，完整涵蓋矽光子的四大核心測試項目。
TGV 玻璃基板大勢所趨！如何透過四大 FA 利器攻克 TGV 鍍銅與結構失效？
閎康科技深度拆解 TGV 從通孔形成到銅填孔的完整製程路徑，透過系統化的檢測策略，協助研發與製程團隊在最短時間內精準定位缺陷、洞察失效機制，跨越玻璃基板的量產門檻，為下一代先進封裝奠定堅實的真因分析基礎。
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IL、RL與PDL有何不同？一次看懂矽光子元件三大光損測試指標
在矽光子積體光路（PIC）中，最核心的及最基本的測試情境就是 o-o（Optical-to-Optical，光對光） 的能量轉換。在這整個純光進、純光出的 o-o 過程中，只要任何一環出現異常，都會導致輸出的光功率與元件效能不如預期。
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PIC 分析與 IL 檢測，精準掌握矽光子光訊號損耗與元件效能
「矽光子晶圓與晶片光電分析檢測平台」整合自動化溫控探針台、奈米級對準硬體、全波段近紅外光學影像及半導體材料分析技術，提供從 PIC 分析、晶圓級光電測試、IL 量測、光學失效定位到材料根因解析的一站式服務。
突破摩爾定律極限：先進封裝技術與異質整合的關鍵應用解析
摩爾定律預測，積體電路上的電晶體數目，在相同面積下，每隔 18 個月數量就會增加一倍，晶片效能也會持續提升，此定律在引領半導體產業發展近 60 年之後，也逐漸走向極限，各大廠也相繼思索找尋新解方，希望可以在無法縮小電晶體的情況下，持續提升晶片整體效能，並透過系統整合方式，來層層堆疊半導體電路，達到效能的躍進，..
AI晶片內嵌最重要的記憶體-靜態隨機存取記憶體SRAM先進工藝結構檢測分析
在這麼複雜IC電路中，AI晶片最重的內嵌記憶體就是SRAM(Static Random-Access Memory,靜態隨機存取記憶體或稱靜態隨機儲存器)。這種內嵌的SRAM，也被稱作嵌入式SRAM。
線路修補技術方案與流程
在IC的設計製造流程中，研發後流片（tape-out）的產品需要做功能性的驗證，確認是否符合測試的標準，但往往會有效能的差異，甚至是功能上的缺陷，此時就必須進行設計除錯（design debug）找出問題點，進行設計的改版，重新生產，這整個流程就形成一個迴圈，越快找到問題，就能加快產品上市的時間(time to market)。
