合作專欄
04.28
2024
先進電晶體技術與發展趨勢
隨著傳統半導體尺寸的微縮，電晶體的柵極長度(gate length)也逐漸縮小。為了評估半導體晶片製作技術，傳統上常使用電晶體的柵極線寬作為指標，因為柵極線寬越小，代表電晶體越小，相同尺寸的晶片就能容納更多的電晶體，進而意味著功能越多、效能越好。
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02.05
2024
以離子注入研製成長於藍寶石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近幾年電動車與再生能源的快速發展，市場對功率器件的需求與效能要求不斷增加，而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV，無法承受大電壓，目前在高電壓、大功率的功率器件以逐漸採用第三代寬能帶半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)所製作之器件，此些材料所製作之器件在功率器件的電壓與功率可大幅提升，進而可改善在電動車與再生能源能源應..
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11.22
2023
到平面的世界探險吧---二維材料簡介
二維材料系統有許多優異特性已被報導，集感測、儲存和處理於一體的 2D 半導體硬體系統未來將顛覆電子應用的架構。現階段來說，要發展積體電路量產，乃至商業化應用，仍有許多研究工作待完成。
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