コラボレーションコラム
04.28
2024
先進トランジスタ技術と発展のトレンド
従来の半導体のサイズが微細化するにつれて、トランジスタのゲート長も徐々に縮小しています。半導体チップの製造技術を評価するために、従来はトランジスタのゲート幅が指標としてよく使用されます。ゲート幅が小さいほど、トランジスタが小さくなり、同じサイズのチップにより多くのトランジスタを収容できることを意味し、結果として機能が増え、性能が向上します。
コラボレーションコラム
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02.05
2024
サファイア基板上に成長したN型β-Ga2O3多結晶膜のイオン注入による製造とそのデバイス特性に関する研究
近年、電気自動車と再生可能エネルギーの急速な発展により、市場におけるパワーデバイスの需要と性能要求が増加していますが、Siのバンドギャップ（Bandgap, Eg）は1.12 eVしかなく、大電圧に耐えることができません。現在、高電圧・大出力のパワーデバイスには、徐々に第3世代のワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）で作られたデバイスが採用されています。これらの材料で作られたデバイスは、パワーデバイスの電圧と出力を大幅に向上させ、電気自動車や再生可能エネルギーの改善に寄与します。
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11.22
2023
平面の世界を探検しよう---二次元材料の紹介
二次元材料システムには多くの優れた特性が報告されており、センサー、ストレージ、処理を一体化した2D半導体ハードウェアシステムは、将来的に電子アプリケーションのアーキテクチャを覆すでしょう。現段階では、集積回路の量産や商業化アプリケーションを発展させるためには、まだ多くの研究作業が残っています。
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