閎康科技舉辦114年度產學合作成果發表會暨下半年MAFT技術發表會－產學攜手共創下一世代技術新契機
閎康科技舉辦114年度產學合作成果發表會暨下半年MAFT技術發表會－產學攜手共創下一世代技術新契機
閎康科技於2026年8月28日在竹科矽導總部大廳隆重舉辦「114年度產學合作成果發表會」及「MAFT 2026H2技術發表會」。兩場活動分別於上午及下午舉行，吸引超過300位國內外來賓透過現場及遠端方式參與，現場交流熱烈，充分展現產學界對前瞻技術發展與產業應用的高度關注。
上午場次為114年度產學合作成果發表會，與會者包括閎康科技客戶、業界貴賓，以及本年度參與產學合作計畫的教授與學生，現場出席人數逾百人。透過本次成果發表會，產學界齊聚一堂，除促進彼此交流與認識外，也針對過去一年各項研究計畫的執行成果進行深入討論，並積極探索研究成果未來導入產業實際應用的可能性。
活動一開始，由閎康科技研發中心處長陳弘仁致詞，並進行本年度產學合作計畫成果簡報。陳處長分享過去一年產學合作計畫的研究成果與具體產出，根據初步統計，本期計畫已於國內外知名期刊及研討會發表超過100篇研究論文，並完成24件發明專利申請，展現產學合作計畫在學術研究、技術開發及智慧財產布局上的豐碩成果。
除了回顧計畫研究成果外，陳處長也於簡報中進一步說明115年度起產學合作計畫的新評選原則。未來審議委員會除評估計畫的「技術創新性」、「研究可行性」及與「公司技術發展方向」的契合度外，也將進一步兼顧公司整體技術布局的多元性。依據新的評選架構，入選計畫將涵蓋三大技術類別，包括「產業技術」、「新興技術」及「前瞻技術」，核定比例約分別為45%、35%及20%。而針對研究內容相近或應用領域高度重疊的計畫提案，也將適度控管核定件數，以避免資源過度集中於單一技術領域，進一步提升產學合作的整體效益。此外，每年度實際核定件數亦將不再限定為20件，會依據當年度申請案件的整體評核結果彈性決定，讓資源配置能更貼近公司的技術發展需求與產業趨勢。
為持續支持既有產學合作夥伴，閎康科技對於本年度未能延續獲選的教授，其所委託公司執行的各項分析案件，仍可享有為期一年的專屬優惠，以系統價格50%計價，協助教授加快先進研究進度。陳處長同時也在簡報中闡述公司於產學合作的研發策略與未來佈局，說明如何藉由關鍵技術優勢，搶先掌握下一世代產業發展的契機。結合學術界在基礎研究與前瞻技術上的創新成果，閎康科技將持續深化產學合作，從研究成果中挖掘具產業潛力的關鍵技術，並加速研究成果與產業需求的接軌。
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陽明交大電子研究所 柯明道 教授 -
陽明交大電子研究所 陳燦耀 教授 -
陽明交大電子研究所 劉致為 教授
隨後進入研究成果分享環節。本次特別邀請三位參與產學合作計畫的教授，包括陽明交大電子研究所 柯明道教授、清大工科所 陳燦耀教授，以及台大電機系 劉致為教授，分別就當前熱門研究領域，包括氮化鎵功率元件ESD防護、高效率觸媒材料、及先進電晶體元件GAA/CFET等前瞻技術，進行各20分鐘的專題簡報，分享最新研究成果與技術發展趨勢。此外，大會亦安排現場交流與餐敘時段，並於會場四周展示本年度各項產學合作計畫的研究成果海報，讓與會來賓能針對感興趣的研究主題，與參與計畫的教授及研究團隊進行深入交流與討論，進一步探索研究成果未來導入產業及跨域合作的可能性。
自110年起，閎康科技已連續六年投入產學合作計畫，每年編列2,000萬元經費，支持20項研究計畫，與國內10所大學攜手投入創新元件、先進材料及前瞻技術等研究。透過長期且穩定的投入，期待明年度產學合作計畫能孕育更多創新、前瞻且具產業應用價值的研究成果，持續創造產學雙贏，共同為台灣高科技產業的未來發展注入新的技術動能。
MAFT技術發表會：晶動未來：從記憶體、矽光子到量子運算的下一波技術革命
下午舉行的2026下半年度MAFT 技術發表會以「晶動未來：從記憶體、矽光子到量子運算的下一波技術革命」為主題，共邀請四位產學計畫合作教授擔任講師，包括成大材料系 劉全璞教授、陽明交大電子研究所 洪瑞華教授、清大工科所 巫勇賢教授、及陽明交大電子研究所 李佩雯教授，演講內容橫跨6G高頻通訊、矽光子、超晶格鐵電記憶體、以及量子計算等先進科技的技術介紹與最新研究進展。
第一場演講由成功大學 劉全璞教授以「6G 時代的先進封裝與電磁防護材料」為主題，分享6G高頻通訊技術發展與新型封裝材料的研究成果。隨著6G時代來臨，應用頻段預計將拓展至30 GHz–3 THz的超高頻範圍，對於天線級封裝（AiP）等小尺寸、高整合度的通訊晶片應用而言，電磁干擾（EMI）將成為重要挑戰，不僅會造成訊號損失，也可能影響電子元件的正常運作。因此，因應6G高頻應用需求，先進封裝材料除了須具備低介電損耗特性外，也必須兼顧EMI屏蔽、散熱及ESD防護等多項功能。
劉教授於演講中進一步分享其研究團隊以回收矽再製備碳化矽（SiC）氣凝膠的創新研究成果。SiC氣凝膠具有低介電常數、低介電損耗、高熱穩定性、良好熱傳導與化學穩定性等特性，並可透過多孔結構實現超低密度，因此具備發展為超高頻應用環境下電磁波吸收與屏蔽材料的潛力。除此之外，劉教授也闡述研究團隊如何針對SiC氣凝膠在機械強度、EMI屏蔽效能及封裝可靠度之間的平衡進行研究，並探討其在實際電子封裝應用中所面臨的可靠度測試與技術挑戰。透過此次分享，與會者對於6G高頻通訊時代先進封裝材料的發展趨勢，以及SiC氣凝膠在EMI防護與高頻封裝應用上的潛力，有了更深入的了解。演講內容獲得與會來賓熱烈迴響，現場掌聲不斷。
第二場演講由陽明交大 洪瑞華教授主講，以「高速傳輸與矽光子異質整合技術」為題，分享 AI 時代高速光互連與先進封裝的發展趨勢。矽光子（Silicon Photonics）結合半導體製程與光電技術，透過在矽基板上整合光波導、調變器及光偵測器等元件，以光訊號取代部分傳統電訊號傳輸，可大幅提升資料傳輸速度、降低功耗，並實現更高密度的晶片與系統整合。
洪教授指出，隨著 AI、機器學習（ML）、高效能運算（HPC）及資料中心快速發展，資料傳輸量持續攀升，傳統電性互連逐漸面臨頻寬、延遲、功耗及訊號完整性等瓶頸，促使產業加速朝光互連發展。在封裝架構上，也從傳統插拔式光收發模組進一步演進至共封裝光學（CPO），將 PIC、EIC 與光源更緊密地整合，以縮短傳輸距離、降低功耗並提升整體傳輸效能。在技術發展方面，矽光子、III-V 材料與異質整合將扮演關鍵角色，透過不同材料與製程技術的整合，兼顧高速傳輸、小型化與成本效益；此外，Micro LED、VCSEL 等新興光互連技術，也可望逐步應用於 Chip-to-Chip、Rack-to-Rack 等不同層級的高速資料傳輸。
整體而言，矽光子已從單一元件技術，逐步發展為涵蓋晶片設計、光電元件、異質整合、先進封裝、測試量測及系統應用的完整產業鏈。洪教授目前亦擔任工研院電光所技術長，並於演講中分享工研院積極建置 III-V 族積體光晶片試製及高速自動化量測平台，目前已具備 224 Gb/s 全晶圓自動化量測能力，並朝 448 Gb/s 邁進，期望進一步降低產業投入門檻，推動台灣建立完整的矽光子與高速光互連產業生態系。演講內容受到與會者高度關注，現場交流熱烈，並透過問答進一步深化產學界對高速光互連及矽光子技術發展的理解。
第三場演講由清華大學 巫勇賢教授，以「從抗輻射挑戰到可靠度設計：鐵電記憶體於未來太空電子的發展契機」為題，分享新世代鐵電記憶體在太空電子領域的發展與研究成果。隨著低軌衛星（LEO）及太空邊緣運算快速發展，未來衛星需要在高輻射環境下執行更多即時運算與 AI 任務，因此對於高抗輻射、低功耗、高密度且具非揮發性的新型記憶體需求日益提升，尤其需要能夠長時間保存模型權重與任務資料的記憶體技術。
巫教授指出，傳統 Charge-Trap Flash 在太空輻射環境下容易受到總游離劑量（TID）及單一事件效應（SEE）影響，產生電荷逸散及元件退化。雖然鐵電場效電晶體（FeFET）具有高速寫入、低功耗及非揮發性等優勢，但在輻射照射後，鐵電層及介面可能產生游離電荷與氧空缺，進而造成鐵電疇釘札（Domain Pinning），使記憶視窗（Memory Window, MW）縮小、並導致耐久度下降，成為太空應用的重要挑戰。針對上述問題，巫教授進一步分享其研究團隊在抗輻射鐵電記憶體與可靠度設計上的研究突破，包括多項材料、製程與操作技術的整合。其中，團隊採用 HAO/HZO/HAO 混合型鐵電結構，以 HZO 提供較大的記憶視窗，並利用 HAO 較低的矯頑電場與自發極化特性降低介面電場應力，在記憶視窗、操作電壓及耐久度之間取得良好平衡。
在製程方面，其導入低熱預算微波退火（MWA），促進鐵電相形成，同時降低初始氧空缺與漏電流，以減緩輻射誘發缺陷的累積；此外，透過氨電漿介面處理與氮鈍化技術，改善介面品質、修復懸鍵（Dangling Bonds），並抑制界面電荷捕獲。除了材料與製程改善外，團隊亦發展單極性／雙極性電性脈衝操作策略，透過電荷去捕獲（De-trapping）機制，協助修復因深陷阱造成的記憶視窗衰退，使元件在經歷輻射或長時間操作後仍能維持穩定的記憶特性，進一步延長太空電子元件的使用壽命。
巫教授的研究展現了從材料設計、製程優化、元件操作與可靠度提升等的完整技術布局，為高抗輻射、低功耗及大記憶視窗鐵電記憶體在未來太空電子與邊緣 AI 運算的應用提供重要技術基礎。演講結束後，與會者亦針對抗輻射記憶體的材料設計、可靠度及實際太空應用等議題踴躍交流，現場互動熱烈。
第四場演講由陽明交大 李佩雯教授，以「Material Defined Germanium Quantum-dots for High Performance Quantum Computing」為題，分享團隊在鍺（Ge）量子點量子位元與電荷偵測技術上的最新研究成果。隨著人工智慧與次世代量子運算快速發展，對運算效能與能源效率的需求持續提升。傳統閘極定義量子點（Gate-defined QDs）主要採用平面式架構，當量子位元數量持續擴充時，將面臨電極布局複雜及難以實現三維堆疊等挑戰。針對此問題，李教授分享其研究團隊多年來利用CMOS 相容製程，開發可擴充、可垂直堆疊的鍺量子點量子位元及電荷偵測器，為矽基半導體量子運算提供新的技術發展方向。
在技術亮點方面，團隊首先透過波浪條紋布局設計，搭配 Bosch 蝕刻技術形成具有週期性側壁波浪凹槽，再利用熱氧化 SiGe 薄膜過程所產生的高應力，使鍺原子於凹槽位置析出、並形成球狀量子點，進而實現有序且可控制的三維垂直堆疊結構。此外，團隊進一步開發垂直堆疊鍺雙量子點與自我對準電極，可藉由控制量子點尺寸及間距，調整量子點之間的耦合強度，並透過源極、汲極及閘極電極對量子點進行精準操控。在量子位元讀取方面，其團隊也開發單量子點電晶體電荷偵測器，整合單電子/電洞電晶體與矽奈米線電晶體，並透過調整矽奈米線電晶體的操作區間，放大穿隧電流，以提升電荷偵測的訊雜比（SNR）及量子位元讀取保真度。
李教授於演講中特別感謝閎康科技在材料分析（MA）與失效分析（FA）方面提供的專業協助。相關分析工作涵蓋樣品製備、TEM、FIB、EDS、NBD，以及三維量子點分布 Tomography 等多項技術，協助研究團隊深入掌握量子點的晶體結構、尺寸與形貌、元素組成、介面特性及三維分布，為研究成果提供重要的材料與結構分析依據，也充分展現產學合作在前瞻半導體與量子運算研究上的重要價值。演講結束後，與會者踴躍參與問答與技術交流，針對相關研究成果與未來應用展開熱烈討論，現場互動氣氛十分熱絡。
綜合前述四場專題演講，可以從6G高頻通訊、矽光子、太空電子到量子運算，清楚看見下一世代半導體技術正朝向高頻化、高速化、低功耗與高可靠度快速發展，也凸顯材料、元件、製程、封裝與分析量測技術彼此整合的重要性。此次MAFT技術發表會不僅提供產學界交流最新研究成果的平台，更透過不同前瞻技術的分享，串聯學術研究與產業需求，進一步探索研究成果商品化與實際應用的可能性。
感謝所有講者帶來精彩且專業的技術分享，也感謝與會貴賓的熱情參與及交流。若您對本次精彩內容意猶未盡，歡迎加入「閎康材料學院」會員，持續掌握更多前瞻材料與半導體技術資訊，重溫本次MAFT技術發表會的精彩內容。期待與各位在2027 MAFT再次相會，持續攜手探索下一世代科技的無限可能！
