突破摩爾定律極限：先進封裝技術與異質整合的關鍵應用解析
摩爾定律預測，積體電路上的電晶體數目，在相同面積下，每隔 18 個月數量就會增加一倍，晶片效能也會持續提升，此定律在引領半導體產業發展近 60 年之後，也逐漸走向極限，各大廠也相繼思索找尋新解方，希望可以在無法縮小電晶體的情況下，持續提升晶片整體效能，並透過系統整合方式，來層層堆疊半導體電路，達到效能的躍進，..
AI晶片內嵌最重要的記憶體-靜態隨機存取記憶體SRAM先進工藝結構檢測分析
在這麼複雜IC電路中，AI晶片最重的內嵌記憶體就是SRAM(Static Random-Access Memory,靜態隨機存取記憶體或稱靜態隨機儲存器)。這種內嵌的SRAM，也被稱作嵌入式SRAM。
晶體結構在半導體中扮演的角色與X光繞射的分析應用
隨著科技進步，先進工藝的發展，電子產品越做越小，半導體元件尺寸已接近材料的物理極限。為了達到次世代電子產品的需求，如：體積小、功能性多、指令週期快及低功耗等特性，並要規避元件尺寸的物理極限，超越摩爾定律成為目前半導體產業努力研究的目標。
掃描式電子顯微鏡分析技術的發展 - 以寬能隙半導體的外延缺陷分析為例
本文的討論主要聚焦於具有六方結構的幾種寬能隙半導體，如氮化鎵（GaN,Eg=3.4 eV）、氮化鋁（AlN, Eg=6.2 eV）、氧化鋅（ZnO, Eg=3.3 eV）和碳化矽（4HSiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）。這些寬能隙半導體，特別是氮化鎵、氮化鋁和氧化鋅，已經廣泛應用於表面聲波元件、紫外光與藍光的偵測器、發光二極體和雷射二極體。
二次離子質譜儀(SIMS)於積體電路工藝質量監控的分析應用
頂尖的半導體應用晶片除了需要優異的IC電路設計外, 更需要完美的奈米元件結構搭配以新世代或先進的半導體工藝技術, 以達到晶片最佳的效能表現。
先進電晶體技術與發展趨勢
隨著傳統半導體尺寸的微縮，電晶體的柵極長度(gate length)也逐漸縮小。為了評估半導體晶片製作技術，傳統上常使用電晶體的柵極線寬作為指標，因為柵極線寬越小，代表電晶體越小，相同尺寸的晶片就能容納更多的電晶體，進而意味著功能越多、效能越好。
線路修補技術方案與流程
在IC的設計製造流程中，研發後流片（tape-out）的產品需要做功能性的驗證，確認是否符合測試的標準，但往往會有效能的差異，甚至是功能上的缺陷，此時就必須進行設計除錯（design debug）找出問題點，進行設計的改版，重新生產，這整個流程就形成一個迴圈，越快找到問題，就能加快產品上市的時間(time to market)。
以離子注入研製成長於藍寶石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近幾年電動車與再生能源的快速發展，市場對功率器件的需求與效能要求不斷增加，而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV，無法承受大電壓，目前在高電壓、大功率的功率器件以逐漸採用第三代寬能帶半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)所製作之器件，此些材料所製作之器件在功率器件的電壓與功率可大幅提升，進而可改善在電動車與再生能源能源應..
