秒懂 2025年版AQG 324規範亮點
AQG 324 是由 ECPE（European Center for Power Electronics） 所主導的汽車功率模組測試指南。
閎康建立功率元件完整性的驗證服務模式
電源相關的功率元件(SiC、GaN)的高壓與高頻特性，在電動車中佔據了舉足經重的角色。由於功率元件在電動車的關鍵性角色，眾多公司看準此一趨勢，紛紛投入功率元件研究與發展。
銅混合接合技術的創新突破：三維積體電路與先進封裝的關鍵技術
3D IC技術的發展如同堆疊「樂高積木」，將具備不同功能的晶片垂直整合，不僅節省空間，更顯著提升整體系統效能，為突破摩爾定律帶來新可能！然而，要讓這些「積木」晶片間能精準對位、穩定通訊、有效散熱、不易短路或老化，關鍵就在於「怎麼接起來」。
矽光子技術促進先進高效能計算
面對 AI 與 HPC 系統的巨量運算需求，矽光子技術（silicon photonics）如何透過光連結技術提升資料中心與晶片間傳輸速率、降低功耗，為下一代高效能運算架構提供關鍵路徑。
次世代儲能技術：先進鋰硫電池
鋰硫電池（Li-S Battery） 被視為下一代電池技術的重要突破，隨著鋰離子電池逐漸接近技術極限，鋰硫電池憑藉「高能量密度、低成本、環保輕量」等優勢，在電動車、航太與無人機、或是需大規模儲能的智慧電網等領域展現了強大的應用潛力，正迅速成為全球研發焦點！
二維半導體的新戰場：硒氧化鉍電晶體
隨著矽基電晶體微縮逼近物理極限，二維半導體材料如硒氧化鉍因其高載流子遷移率、原生氧化層優勢與大面積成長潛力，正成為後矽世代電晶體的新候選。
突破摩爾定律極限：先進封裝技術與異質整合的關鍵應用解析
摩爾定律預測，積體電路上的電晶體數目，在相同面積下，每隔 18 個月數量就會增加一倍，晶片效能也會持續提升，此定律在引領半導體產業發展近 60 年之後，也逐漸走向極限，各大廠也相繼思索找尋新解方，希望可以在無法縮小電晶體的情況下，持續提升晶片整體效能，並透過系統整合方式，來層層堆疊半導體電路，達到效能的躍進，..
AI晶片內嵌最重要的記憶體-靜態隨機存取記憶體SRAM先進工藝結構檢測分析
在這麼複雜IC電路中，AI晶片最重的內嵌記憶體就是SRAM(Static Random-Access Memory,靜態隨機存取記憶體或稱靜態隨機儲存器)。這種內嵌的SRAM，也被稱作嵌入式SRAM。
晶體結構在半導體中扮演的角色與X光繞射的分析應用
隨著科技進步，先進工藝的發展，電子產品越做越小，半導體元件尺寸已接近材料的物理極限。為了達到次世代電子產品的需求，如：體積小、功能性多、指令週期快及低功耗等特性，並要規避元件尺寸的物理極限，超越摩爾定律成為目前半導體產業努力研究的目標。
掃描式電子顯微鏡分析技術的發展 - 以寬能隙半導體的外延缺陷分析為例
本文的討論主要聚焦於具有六方結構的幾種寬能隙半導體，如氮化鎵（GaN,Eg=3.4 eV）、氮化鋁（AlN, Eg=6.2 eV）、氧化鋅（ZnO, Eg=3.3 eV）和碳化矽（4HSiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）。這些寬能隙半導體，特別是氮化鎵、氮化鋁和氧化鋅，已經廣泛應用於表面聲波元件、紫外光與藍光的偵測器、發光二極體和雷射二極體。
